[发明专利]一种高性能锗锑碲相变薄膜材料及其制备方法

权利要求书

1.一种高性能锗锑碲相变薄膜材料，其特征在于，所述锗锑碲薄膜相变材料通过掺杂氮元素来改性，所述氮元素掺杂含量为5.84-10.90％。

2.如权利要求1所述的高性能锗锑碲相变薄膜材料，其特征在于，所述锗锑碲薄膜相变材料通过掺杂氮元素来改性，所述氮元素掺杂含量为10.04-10.90％。

3.如权利要求1或2所述的高性能锗锑碲相变薄膜材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)将基片按照顺序分别在丙酮、乙醇和去离子水中进行超声清洗后，烘干待用；

(2)在磁控溅射镀膜系统中，将步骤(1)准备好的基片放置在基托上，将Ge₂Sb₂Te₅合金靶材安装在磁控射频溅射靶中，并将磁控溅射镀膜系统的溅射腔室抽真空至4×10^-4Pa，然后向溅射腔室内通入高纯Ar和高纯N₂直至溅射腔室内气压达到0.5Pa；

(3)溅射时控制靶基距为固定值55mm，溅射温度为室温，溅射时背底压强为4×10^-4Pa，工作压强为0.5Pa，偏压为0V，溅射功率为60W，溅射保护气体为Ar，溅射气体为N₂，溅射时控制N₂流量占N₂和Ar总流量的百分数，溅射结束后得到掺杂氮元素的Ge₂Sb₂Te₅样品。

4.如权利要求3所述的高性能锗锑碲相变薄膜材料的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中的基片为双面抛Si(001)片。

5.如权利要求3所述的高性能锗锑碲相变薄膜材料的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)中的N₂和Ar体积百分比纯度均达到99.99％。

6.如权利要求3所述的高性能锗锑碲相变薄膜材料的制备方法，其特征在于，所述步骤(3)中的溅射时长为25min。