[发明专利]背表面黑硅和氧化铝钝化协同增强型单晶硅电池的制备方法

权利要求书

1.一种背表面黑硅和氧化铝钝化协同增强型单晶硅电池的制备方法，其特征在于，具体步骤如下：

（1）选取两面抛光的，电阻率为1-10Ωcm的单晶硅为衬底；

（2）将衬底浸没于氢氟酸溶液中，去除表面的氧化层；

（3）取出去氧化层的衬底，用氮气枪将样品表面吹干，进行表面织构化；

（4）用去离子水将其表面冲洗干净，进行APM(SC-1) RCA标准清洗；

（5）旋涂磷墨并保护气氛下进行P硅N扩散，用氢氟酸溶液去除死层；

（6）在制备完成的PN结背面用热蒸发生长银纳米颗粒，置于氢氟酸、双氧水、水的混合溶液中进行腐蚀，制成黑硅面；

（7）在制备完成的黑硅面背面，用原子层沉积生长氧化铝背钝化层，用热蒸发生长铝背电极；

（8）在制备完成的PN结正面，用电子束蒸发生长二氧化硅作为上钝化层，用电子束蒸发生长ITO作为上电极；

（9）对完成的单晶硅电池进行氮气保护气氛下的烧结处理。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤（3）中所述的表面织构化的操作流程为：将其置于85℃-95℃的NaOH、Alcohol和H₂O混合溶液中10-20分钟；表面织构化均匀，制绒硅表面有30%以下的反射率。

3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，步骤（4）中所述的APM(SC-1) RCA标准清洗，是将衬底放置于30℃-80℃的1:1:1配比NH₄OH、H₂O₂ 、H₂O混合溶液中10-20分钟，取出用去离子水洗净，塑料氮气枪吹干待用。

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，步骤（5）的操作流程为：旋涂磷墨并在860-900℃氮气保护气氛下进行20分钟至2小时的N扩散，之后冷却2小时以上，用5%-10%氢氟酸溶液去除死层。

5.根据权利要求1、2或4所述的制备方法，其特征在于，步骤（6）中所述的金属诱导腐蚀黑硅的操作流程为：蒸镀3nm-5nm的银，将其置于10:5:1至7:5:1浓度的水、双氧水、氢氟酸的混合溶液中2-5分钟，得到300nm-900nm反射率在10%以下，900nm-1500nm反射率在40%以下的黑硅。

6.根据权利要求1、2或4所述的制备方法，其特征在于，步骤（7）中，背电极的蒸镀速度不超过10nm/s。

7.根据权利要求1、2或4所述的制备方法，其特征在于，步骤（8）中，上钝化层的蒸镀速度应超过0.1nm/s，ITO上电极的蒸镀速度不超过0.3nm/s 。