[发明专利]一种用于DC-DC转换器的限流误差放大器电路

说明书

本发明提供了一种用于DC‑DC转换器的限流误差放大器电路，属于半导体集成电路技术领域。解决了现有DC‑DC电源系统的限流功能过于复杂且影响效率的技术问题。该电路包括：第一PMOS晶体管、第二PMOS晶体管、第三PMOS晶体管、第四PMOS晶体管、第五PMOS晶体管、第六PMOS晶体管、第七PMOS晶体管、第一NMOS晶体管、第二NMOS晶体管、第三NMOS晶体管、第四NMOS晶体管和第五NMOS晶体管。本发明将误差放大器的输出端OUT限制在了一个固定的电压范围内，本发明通过对误差放大器的输出端OUT的电压进行限制达到了对DC‑DC转换器进行限流的效果。

技术领域

本发明属于半导体集成电路技术领域，具体涉及一种用于DC-DC转换器的限流误差放大器。

背景技术

DC-DC转换器是一种在电源管理领域中得到广泛应用的重要部件，它可以应用于手机、移动电源、网络通信、汽车电子、消费电子等领域。在DC-DC应用中，常常需要对其的带载能力进行限流，以防止其功率管等器件的损坏。

传统的误差放大器如图1所示，它由第一PMOS晶体管P1、第二PMOS晶体管P2、第三PMOS晶体管P3、第四PMOS晶体管P4、第五PMOS晶体管P5、第一NMOS晶体管N1、第二NMOS晶体管N2、第三NMOS晶体管N3、第四NMOS晶体管N4组成。第一PMOS晶体管P1的源极接电源，栅极和漏极接第二PMOS晶体管P2的栅极以及第一NMOS晶体管N1的漏极；第二PMOS晶体管P2的源极接电源，漏极接误差放大器的输出端OUT；第三PMOS晶体管P3的源极接电源，栅极接偏置电流输入端BIAS，漏极接第四PMOS晶体管P4和第五PMOS晶体管P5的源极；第四PMOS晶体管P4的栅极接误差放大器的负输入端INN，漏极接第二NMOS晶体管N2的栅极和漏极以及第一NMOS晶体管N1的栅极；第五PMOS晶体管P5的栅极误差导放大器的正输入端INP，漏极接第三NMOS晶体管N3的栅极和漏极以及第四NMOS晶体管N4的栅极；第一NMOS晶体管N1、第二NMOS晶体管N2、第三NMOS晶体管N3和第四NMOS晶体管N4的源极都接地，第四NMOS晶体管N4的漏极接误差放大器的输出端OUT。

使用这种传统的误差放大器的DC-DC，并不具备限流的功能。如果需要限流功能，可能需要对功率管的电流进行采样，然后将采样电流转换成电压，将转换后的电压与基准电压进行比较，从而实现限流功能。这种传统的限流方法，工作过于复杂，而且由于需要对功率管进行采样，往往会影响DC-DC电源系统的效率。

发明内容

为解决现有DC-DC电源系统的限流功能过于复杂且影响效率的技术问题，本发明提供了一种用于DC-DC转换器的限流误差放大器电路。