[发明专利]隐埋N型沟道的碳化硅功率器件及其制造方法

权利要求书

1.一种隐埋N型沟道的碳化硅功率器件，其特征在于，包括：

设置在最下方的背面金属接触，

设置在所述背面金属接触的上方的碳化硅衬底，

设置在所述碳化硅衬底的上方的碳化硅外延层，

设置在所述碳化硅外延层中的有源注入区、JTE注入区以及N型隐埋沟道，其中，所述有源注入区和所述JTE注入区分别沿器件的中心线对称分布，所述JTE注入区设置在所述有源注入区的外侧，所述N型隐埋沟道设置在有源注入区的主结的下方，

设置在所述碳化硅外延层上方的氧化物钝化层和表面金属接触；

所述有源注入区为P+注入区，注入深度在0.4～2微米之间；所述JTE注入区的注入深度在0.2～1微米之间；所述N型隐埋沟道的注入杂质为N或P，注入深度在0.2～1微米之间，注入剂量在1e¹²～1e¹⁶之间。

2.根据权利要求1所述的隐埋N型沟道的碳化硅功率器件，其特征在于，

在器件的中心区域也间隔设置了有源注入区。

3.根据权利要求1或2所述的隐埋N型沟道的碳化硅功率器件，其特征在于，

所述碳化硅衬底为N型衬底，所述碳化硅外延层为N-型外延层。

4.根据权利要求1或2所述的隐埋N型沟道的碳化硅功率器件，其特征在于，

所述氧化物钝化层的厚度在0.3～2微米之间。

5.一种隐埋N型沟道的碳化硅功率器件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

在碳化硅衬底片上生长碳化硅外延层，然后进行清洗；

对清洗后的碳化硅片，进行有源区注入，有源区注入的位置为沿器件的中心线对称分布的位置；

对完成有源区注入的碳化硅片进行JTE注入，JTE注入的位置为沿器件的中心线对称分布且在有源注入区外侧的位置；

对完成JTE注入的碳化硅片进行N型沟道的隐埋注入，隐埋注入的位置位于有源注入区的主结的下方；

对完成上述所有注入的碳化硅片进行碳膜溅射，并于溅射后进行高温退火；

对完成高温退火的碳化硅片进行牺牲氧化；

在所述碳化硅外延层上生长氧化物钝化层；

所述碳化硅片的背面的金属淀积并退火，形成背面金属接触；

在所述氧化物钝化层开窗；

在所述氧化物钝化层开窗口的位置淀积表面金属，并退火形成表面金属接触；

所述碳化硅衬底为N型衬底，所述碳化硅外延层为N-型外延层，所述清洗为RCA标准清洗，所述有源区注入为P+注入，注入深度在0.4～2微米之间，所述JTE注入的注入深度在0.2～1微米之间，所述N型沟道的隐埋注入的注入杂质为N或P，注入深度在0.2～1微米之间，注入剂量在1e¹²～1e¹⁶之间，所述氧化物钝化层的厚度在0.3～2微米之间。

6.根据权利要求5所述的隐埋N型沟道的碳化硅功率器件的制造方法，其特征在于，

在器件的中心区域间隔分布的位置也进行有源区注入。