[发明专利]蒸镀坩埚及蒸镀装置在审

专利信息
申请号: 201710604794.6 申请日: 2017-07-24
公开(公告)号: CN107267921A 公开(公告)日: 2017-10-20
发明(设计)人: 任晓光 申请(专利权)人: 武汉华星光电半导体显示技术有限公司
主分类号: C23C14/24 分类号: C23C14/24;C23C14/12
代理公司: 广州三环专利商标代理有限公司44202 代理人: 郝传鑫,熊永强
地址: 430070 湖北省武汉市东湖新技术*** 国省代码: 湖北;42
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 坩埚 装置
【权利要求书】:

1.一种蒸镀坩埚,其特征在于,包括坩埚本体及设于所述坩埚本体上的坩埚盖,所述坩埚盖具有喷嘴,所述喷嘴凸设于所述坩埚盖上,且设于背离所述坩埚本体的一侧,用于喷出所述坩埚本体中的有机材料,所述喷嘴具有顶壁和内壁,所述顶壁朝向于背离所述坩埚本体的一侧,所述内壁连接于所述顶壁与所述坩埚盖之间,以形成所述有机材料的输运通道,所述蒸镀坩埚还包括设于所述喷嘴外围的加热器,所述加热器用于产生热量,所述热量传导至所述内壁,所述内壁具有至少一个相对于所述喷嘴的轴向倾斜的第一表面,以增加所述内壁的热辐射量,以使所述内壁升温或保持温度,防止所述有机材料粘附于所述内壁。

2.如权利要求1所述的蒸镀坩埚,其特征在于,所述坩埚盖具有底壁,所述底壁与所述顶壁相对设置,所述内壁连接于所述顶壁与所述底壁之间,所述内壁与所述顶壁的连接处形成第一端口,所述第一端口呈圆形,所述内壁与所述底壁的连接处形成第二端口,所述第一端口正对于所述第二端口,且所述第一端口的尺寸小于所述第二端口的尺寸。

3.如权利要求2所述的蒸镀坩埚,其特征在于,所述第二端口的尺寸是所述第一端口的尺寸的1.1~5倍。

4.如权利要求1所述的蒸镀坩埚,其特征在于,所述第一表面与所述喷嘴的轴向形成第一夹角,所述第一夹角为5°~90°。

5.如权利要求4所述的蒸镀坩埚,其特征在于,所述内壁与所述顶壁的连接处形成第一端口,所述第一端口呈圆形,所述内壁具有凹槽,所述第一表面位于所述凹槽内。

6.如权利要求5所述的蒸镀坩埚,其特征在于,所述凹槽的延伸方向与所述喷嘴的轴向一致或与所述喷嘴的轴向形成0°~5°的夹角。

7.如权利要求5所述的蒸镀坩埚,其特征在于,所述内壁与所述顶壁的连接处形成第一端口,所述第一端口呈圆形,所述内壁还具有凸起,所述第一表面位于所述凸起上。

8.如权利要求7所述的蒸镀坩埚,其特征在于,所述凸起的延伸方向与所述喷嘴的轴向一致或与所述喷嘴的轴向形成0°~5°的夹角。

9.如权利要求4~8任一项所述的蒸镀坩埚,其特征在于,所述坩埚盖具有底壁,所述底壁与所述顶壁相对设置,所述内壁连接于所述顶壁与所述底壁之间,所述内壁与所述底壁的连接处形成第二端口,所述第二端口正对于所述第一端口,且所述第一端口的尺寸小于所述第二端口的尺寸。

10.一种蒸镀装置,其特征在于,包括权利要求1~9任一项所述的蒸镀坩埚。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉华星光电半导体显示技术有限公司,未经武汉华星光电半导体显示技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710604794.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top