[发明专利]半导体装置和半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，具备：

并列pn层，将第一导电型半导体区和第二导电型半导体区沿与第一导电型半导体层的表面平行的方向交替地重复配置在所述第一导电型半导体层上而成；

元件结构，设置在所述并列pn层的与所述第一导电型半导体层侧相反一侧；

第一电极，与构成所述元件结构的半导体部电连接；以及

第二电极，与所述第一导电型半导体层电连接，

其中，所述第一导电型半导体区的宽度遍及深度方向恒定，

所述第二导电型半导体区的宽度遍及深度方向恒定，

所述第一导电型半导体区具有使所述第二电极侧的部分的杂质浓度高于所述第一电极侧的部分的杂质浓度而成的杂质浓度分布曲线，

所述第二导电型半导体区具有使所述第二电极侧的部分的杂质浓度高于所述第一电极侧的部分的杂质浓度并且使所述第一电极侧的部分的预定厚度的一位置的杂质浓度相对地低于该第一电极侧的部分的其他部分的杂质浓度而成的杂质浓度分布曲线，

所述第二导电型半导体区的所述第二电极侧的部分的杂质浓度高于所述第一导电型半导体区的所述第二电极侧的部分的杂质浓度，

所述第一导电型半导体区的所述第一电极侧的部分的杂质浓度在深度方向上均等，

所述第二导电型半导体区的所述第一电极侧的部分中除杂质浓度相对低的所述一位置的低浓度部分以外的基本构成部分的杂质浓度在深度方向上均等，

在所述第二导电型半导体区中，所述基本构成部分分别与所述低浓度部分的所述第一电极侧和所述第二电极侧相邻，

所述第二导电型半导体区的所述低浓度部分的中心的深度位置位于比所述并列pn层的厚度的一半更靠所述第二电极侧的位置。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第二导电型半导体区的所述第二电极侧的部分与所述第一电极侧的部分之间的边界位于比所述第一导电型半导体区的所述第二电极侧的部分与所述第一电极侧的部分之间的边界更靠所述第一电极侧的位置。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，所述第一导电型半导体区的总杂质量与所述第二导电型半导体区的总杂质量相等。

4.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，所述第二导电型半导体区的所述第一电极侧的部分的杂质浓度与所述第一导电型半导体区的所述第一电极侧的部分的杂质浓度相等。

5.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，所述第一导电型半导体区的所述第二电极侧的部分的杂质浓度随着朝向所述第二电极侧以预定的比例变高。

6.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，所述第二导电型半导体区的所述第二电极侧的部分的杂质浓度随着朝向所述第二电极侧以预定的比例变高。

7.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，所述第二导电型半导体区的所述低浓度部分的杂质浓度在该低浓度部分的深度方向的中央附近成为最低。

8.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，所述元件结构具有：

第二导电型的第一半导体区，与所述第一导电型半导体区接触而设置在所述第二导电型半导体区的与所述第一导电型半导体层侧相反一侧的表面层，并构成所述半导体部；

第一导电型的第二半导体区，选择性地设置在所述第一半导体区的内部，并构成所述半导体部；

栅绝缘膜，与所述第一半导体区的位于所述第一导电型半导体区与所述第二半导体区之间的区域接触而设置；以及

栅电极，以隔着所述栅绝缘膜的方式设置在所述第一半导体区的相反侧。

9.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，在所述第一导电型半导体层与所述并列pn层之间，还具备杂质浓度比所述第一导电型半导体区的杂质浓度低的第一导电型低浓度半导体层。