[发明专利]一种碳化硅开关器件及制作方法在审
| 申请号： | 201710605562.2 | 申请日： | 2017-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN107579118A | 公开（公告）日： | 2018-01-12 |
| 发明（设计）人： | 黄润华;陶永洪;柏松;汪玲 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/04 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙)32204 | 代理人： | 柏尚春 |
| 地址： | 210016 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 开关 器件 制作方法 | ||
1.一种碳化硅开关器件，其特征在于：碳化硅衬底上方为第一掺杂类型层，第一掺杂类型层上方包括第二掺杂类型离子注入形成的第二离子注入层、第一掺杂类型离子注入形成第一离子注入层、第一掺杂类型离子注入形成第三离子注入层和第二掺杂类型离子注入形成第四离子注入层；
离子注入层上方为介质层，介质层上方为栅电极，栅电极上方为隔离介质；
离子注入层上方设置源极欧姆接触金属，碳化硅衬底下方设置漏极欧姆接触金属；
器件上方设置源极加厚金属。
2.根据权利要求1所述的碳化硅开关器件，其特征在于：第一离子注入层的掺杂浓度小于第二离子注入层的掺杂浓度。
3.根据权利要求1所述的碳化硅开关器件，其特征在于：
第二离子注入层包括两个注入区，第一离子注入层包括三个注入区；
第一离子注入层中间注入区的宽度大于第二离子注入层两个注入区之间的间距；第一离子注入层两侧注入区与中间注入区形成两个沟道区；
第一离子注入层注入深度小于第二离子注入层注入深度。
4.根据权利要求3所述的碳化硅开关器件，其特征在于：第三离子注入层注入深度小于第二离子注入层注入深度，包括两个注入区，分别与第一离子注入层两侧注入区相邻；
第四离子注入层注入深度小于第二离子注入层注入深度，包括两个注入区，分别与第三离子注入层两侧注入区相邻。
5.根据权利要求1所述的碳化硅开关器件，其特征在于：第一掺杂类型为N型掺杂，第二掺杂类型为P型掺杂；或者第一掺杂类型为P型掺杂，第二掺杂类型为N型掺杂。
6.根据权利要求1所述的碳化硅开关器件，其特征在于：源极区域由第四离子注入层和第三离子注入层组合形成；其中，第三离子注入层表面浓度较高，第四离子注入层表面浓度较低。
7.根据权利要求1所述的碳化硅开关器件，其特征在于：介质层宽度不大于第一离子注入层宽度；栅电极宽度不大于介质层宽度。
8.一种碳化硅开关器件的制作方法，其特征在于：具体包括以下步骤：
(1)在碳化硅衬底上生长第一掺杂类型层；
(2)在第一掺杂类型层上进行第二掺杂类型离子注入形成第二离子注入层；
(3)在第一掺杂类型层上进行第一掺杂类型离子注入形成第一离子注入层；
(4)在第一掺杂类型层上进行第一掺杂类型离子注入形成第三离子注入层；
(5)在第一掺杂类型层上进行第二掺杂类型离子注入形成第四离子注入层，并高温退火；
(6)在离子注入层上方生长介质层；
(7)在介质层上制作栅电极；
(8)制作隔离介质；
(9)制作源极欧姆接触金属和漏极欧姆接触金属；
(10)制作源极加厚金属。
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