[发明专利]具有非对称鳍形图案的半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

第一鳍图案，其包括彼此相对的第一侧壁和第二侧壁；

第二鳍图案，其包括彼此相对的第三侧壁和第四侧壁；

第三鳍图案，其位于所述第一鳍图案与第二鳍图案之间；以及

场绝缘薄膜，其与所述第一鳍图案的至少一部分、所述第二鳍图案的至少一部分和所述第三鳍图案的至少一部分接触，

其中，所述第一鳍图案包括：

与所述场绝缘薄膜接触的第一鳍图案的下部；

不与所述场绝缘薄膜接触的第一鳍图案的上部；

第一边界，其位于所述第一鳍图案的下部与所述第一鳍图案的上部之间；以及

第一鳍中心线，其垂直于所述第一边界且与所述第一鳍图案的上部的顶部交会，所述第一鳍图案的上部的顶部是平行于所述第一边界的线与所述第一鳍图案在距所述第一边界的最大高度处交会的一点，或者，在第一鳍图案的顶部具有平直表面的情况下，所述第一鳍图案的上部的顶部是该平直表面的中点，其中，所述第二鳍图案包括：

与所述场绝缘薄膜接触的第二鳍图案的下部；

不与所述场绝缘薄膜接触的第二鳍图案的上部；

第二边界，其位于所述第二鳍图案的下部与所述第二鳍图案的上部之间；以及

第二鳍中心线，其垂直于所述第二边界且与所述第二鳍图案的上部的顶部交会，所述第二鳍图案的上部的顶部是平行于所述第二边界的线与所述第二鳍图案在距所述第二边界的最大高度处交会的一点，或者，在第二鳍图案的顶部具有平直表面的情况下，所述第二鳍图案的上部的顶部是该平直表面的中点，

其中，所述第一鳍图案的上部的第一侧壁与所述第一鳍图案的上部的第二侧壁相对于所述第一鳍中心线不对称，并且

其中，所述第二鳍图案的上部的第三侧壁与所述第二鳍图案的上部的第四侧壁相对于所述第二鳍中心线不对称。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中，在与所述第一边界相距第一距离的所述第一鳍图案的上部中，所述第一侧壁的斜率被定义为第一斜率，所述第二侧壁的斜率被定义为第二斜率，所述第一鳍中心线与所述第一侧壁之间的宽度被定义为第一宽度，并且所述第一鳍中心线与所述第二侧壁之间的宽度被定义为第二宽度，并且

其中，所述第一斜率与所述第二斜率彼此不同，或者所述第一宽度与所述第二宽度彼此不同。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述第一斜率与所述第二斜率彼此不同，并且所述第一宽度与所述第二宽度彼此不同。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一鳍图案的下部的第一侧壁与所述第一鳍图案的下部的第二侧壁相对于所述第一鳍中心线不对称。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第三鳍图案包括：

与所述场绝缘薄膜接触的第三鳍图案的下部；

不与所述场绝缘薄膜接触的第三鳍图案的上部；

第三边界，其位于所述第三鳍图案的下部与所述第三鳍图案的上部之间；以及

第三鳍中心线，其垂直于所述第三边界且与所述第三鳍图案的上部的顶部交会，

其中，所述第三鳍图案的第五侧壁与所述第三鳍图案的第六侧壁相对于所述第三鳍中心线不对称。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，所述第三鳍图案的上部的第五侧壁与所述第三鳍图案的第六侧壁相对于所述第三鳍中心线不对称。

7.根据权利要求5所述的半导体器件，

其中，所述第二鳍图案和所述第三鳍图案彼此直接相邻，

其中，在所述第二鳍中心线与所述第三鳍中心线之间定义了与所述第二鳍中心线和所述第三鳍中心线相距相同距离的场中心线，并且

其中，所述第二鳍图案的第四侧壁与所述第三鳍图案的第五侧壁相对于所述场中心线对称。