[发明专利]多晶硅还原炉启炉的硅芯击穿方法、启炉方法、生产多晶硅的方法及装置

权利要求书

1.一种多晶硅还原炉启炉的硅芯击穿方法，其特征在于，包括以下步骤：

向待启炉的多晶硅还原炉内通入非氧化性气体置换，再通入380～400℃的氢气进行置换，通过氢气对多晶硅还原炉内的硅芯进行预加热；

打入电压进行硅芯击穿。

2.根据权利要求1所述的多晶硅还原炉启炉的硅芯击穿方法，其特征在于，所述电压为2000～6000V。

3.根据权利要求2所述的多晶硅还原炉启炉的硅芯击穿方法，其特征在于，所述电压为2000～3000V。

4.根据权利要求1所述的多晶硅还原炉启炉的硅芯击穿方法，其特征在于，通过氢气置换，所述待启炉的多晶硅还原炉内的压力为20～100KPa。

5.根据权利要求1所述的多晶硅还原炉启炉的硅芯击穿方法，其特征在于，所述向待启炉的多晶硅还原炉内通入380～400℃的氢气的具体方法为：

使用邻近多晶硅还原炉的用于冷却其炉筒的高压热水对氢气进行加热；再使用邻近多晶硅还原炉的反应尾气对氢气进行加热，将氢气加热到380～400℃，向待启炉的多晶硅还原炉内通入氢气。

6.一种多晶硅还原炉启炉方法，其特征在于，包括以下步骤：

通过权利要求1～5任意一项所述的方法，对待启炉的多晶硅还原炉内的硅芯进行硅芯击穿；

氢气空烧；

向待启炉的多晶硅还原炉内通入氢气、三氯氢硅，进行化学气相沉积反应，在硅芯表面沉积生产多晶硅，完成多晶硅还原炉启炉。

7.根据权利要求6所述的多晶硅还原炉启炉方法，其特征在于，所述向待启炉的多晶硅还原炉内通入三氯氢硅的具体方法为：

使用邻近多晶硅还原炉的用于冷却其炉筒的高压热水对三氯氢硅进行加热；再使用邻近多晶硅还原炉的反应尾气对三氯氢硅进行加热，向待启炉的多晶硅还原炉内通入三氯氢硅。

8.根据权利要求7所述的多晶硅还原炉启炉方法，其特征在于，使用邻近多晶硅还原炉的反应尾气将三氯氢硅加热到380～400℃。

9.一种生产多晶硅的方法，其特征在于，包括以下步骤：

通过权利要求6～8任意一项所述的多晶硅还原炉启炉方法进行启炉；

向多晶硅还原炉内通入氢气、三氯氢硅，进行化学气相沉积反应，在硅芯表面沉积生产多晶硅。

10.根据权利要求9所述生产多晶硅的方法，其特征在于，所述向多晶硅还原炉内通入氢气、三氯氢硅的具体方法为：

将氢气通过邻近多晶硅还原炉和/或自身多晶硅还原炉的用于冷却其炉筒的高压热水进行初级预热、再通过邻近的多晶硅还原炉的反应尾气进行中级加热；

将三氯氢硅通过邻近多晶硅还原炉和/或自身多晶硅还原炉的用于冷却其炉筒的高压热水进行初级预热、再通过邻近的多晶硅还原炉的反应尾气进行中级加热；

将中级加热的氢气与中级加热的三氯氢硅混合得到混合气，再通过自身多晶硅还原炉的反应尾气进行进料加热，将进料加热后的混合气通入到多晶硅还原炉内。

11.根据权利要求10所述生产多晶硅的方法，其特征在于，

氢气通过初级预热后的温度为140～150℃，再通过中级加热后的温度为380～400℃；

三氯氢硅通过初级预热后的温度为140～150℃，再通过中级加热后的温度为380～400℃；

混合气通过进料加热后的温度为420～450℃。

12.根据权利要求10所述生产多晶硅的方法，其特征在于，邻近多晶硅还原炉的用于冷却其炉筒的高压热水的温度为155～160℃，压力为0.7～0.8MPa；邻近的多晶硅还原炉的反应尾气的温度为500～550℃；自身多晶硅还原炉的反应尾气的温度为500～550℃。