[发明专利]检查表面的方法和制造半导体器件的方法有效
申请号: | 201710606610.X | 申请日: | 2017-07-24 |
公开(公告)号: | CN107782742B | 公开(公告)日: | 2022-03-29 |
发明(设计)人: | 柳成润;全忠森;梁裕信;池仑庭;宋吉宇 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | G01N21/95 | 分类号: | G01N21/95 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 王新华 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 检查 表面 方法 制造 半导体器件 | ||
1.一种检查表面的方法,该方法包括:
制备基板,该基板是检查对象;
选择第一光学装置的空间分辨率,
所述第一光学装置包括配置为发射光的光源、配置为透射从所述光源接收的光的物镜、检测器、以及配置为使由所述检测器检测的光成像的成像光学系统,
选择所述第一光学装置的所述空间分辨率包括设定所述成像光学系统的放大倍率;
使用用于发射多波长光的所述光源和用于朝向所述基板的第一测量区域透射从所述光源接收的所述多波长光的所述物镜,朝向所述第一测量区域发射所述多波长光;
使用所述成像光学系统和所述检测器获得第一特定波长图像;
基于所述第一特定波长图像,产生各个像素的第一光谱数据;
从所述第一光谱数据提取具有所述第一测量区域或更小的范围的至少一个第一检查区域的光谱;以及
分析所述光谱,分析所述光谱包括以下之一:
基于匹配所述第一检查区域的光谱与参考图的光谱来预测所述第一检查区域的三维结构,所述参考图基于获得对应于测试基板上的不同三维结构的光谱而产生,以及
从所述第一光谱数据提取参考区域的光谱和所述第一检查区域的光谱,并使用光谱识别算法确定所述第一检查区域的光谱是否匹配所述参考区域的光谱。
2.根据权利要求1所述的方法,其中获得所述第一特定波长图像包括校正由于所述多波长光的各种角度分布引起的光强度分布。
3.根据权利要求2所述的方法,其中校正所述光强度分布包括:
使用所述光源朝向均一的测试基板发射包括各种角度分布的光并且基于由所述测试基板反射的光的光强度分布来产生校正表;
使用所述光源朝向所述第一测量区域发射包括各种角度分布的光并且获得所述第一测量区域的初始图像;以及
使用所述校正表从所述初始图像获得校正的图像。
4.根据权利要求1所述的方法,其中所述多波长光被发射为具有在垂直于所述基板的上表面的方向上的光轴。
5.根据权利要求1所述的方法,其中获得所述第一特定波长图像包括校正由于不同的波长而在所述第一特定波长图像之间发生的位置未对准和尺寸差异。
6.根据权利要求5所述的方法,其中所述第一光学装置包括配置为支撑所述基板的平台;以及
校正所述位置未对准和所述尺寸差异包括:测量所述第一特定波长图像之间的所述位置未对准和所述尺寸差异;对于每个波长移动所述平台以便补偿所述位置未对准和所述尺寸差异;以及在对于每个波长移动所述平台之后再次获得特定波长的校正图像。
7.根据权利要求1所述的方法,还包括:
在获得所述第一特定波长图像之前选择测量模式,其中
选择所述测量模式包括基于在所述第一检查区域中要被检查的参数的类型选择具有第一数值孔径的第一测量模式和具有小于所述第一数值孔径的第二数值孔径的第二测量模式中的任一个。
8.根据权利要求1所述的方法,其中所述至少一个第一检查区域是彼此间隔开的多个第一检查区域。
9.根据权利要求1所述的方法,其中所述第一检查区域是所述第一特定波长图像的至少一个像素。
10.根据权利要求1所述的方法,还包括:
在选择所述第一光学装置的所述空间分辨率之前,预先分析所述基板,其中
预先分析所述基板包括,
使用第二光学装置朝向所述基板的第二测量区域发射多波长光并获得第二特定波长图像,
基于所述第二特定波长图像产生各个像素的第二光谱数据,
从所述第二光谱数据提取至少一个第二检查区域的光谱并预先分析所述至少一个第二检查区域的光谱,以及
在预先分析所述基板中确定在所述第二检查区域中是否存在需要详细检查的感兴趣区域,以及
所述感兴趣区域是所述第一测量区域。
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