[发明专利]发光器件、像素界定层及其制造方法

权利要求书

1.一种像素界定层，其特征在于，其包括第一界定层和第二界定层，所述第一界定层包括设置在基底上的坝体，所述第二界定层包括设置在坝体的顶部和侧壁上的金属层，位于坝体顶部的金属层表面具有纳米微结构，所述坝体内侧的所述金属层用于阻挡侧面漏光，其中所述金属层进一步覆盖所述基底靠近所述坝体的边缘区域，并外露所述基底位于相邻的所述坝体之间的中部区域，其中位于所述坝体的顶部和侧壁以及所述边缘区域上的所述金属层均设置有所述纳米微结构，所述基底本身满足亲水性要求。

2.根据权利要求1所述的像素界定层，其特征在于，所述第一界定层还包括设置在坝体下方的黑色遮光材料。

3.根据权利要求1所述的像素界定层，其特征在于，所述第一界定层的坝体采用黑色遮光材料制成。

4.根据权利要求1～3任一项所述的像素界定层，其特征在于，所述位于坝体的至少部分侧壁上的金属层表面具有纳米微结构。

5.根据权利要求1～3任一项所述的像素界定层，其特征在于，所述金属层进一步覆盖所述坝体之间的未被所述坝体覆盖的所述基底。

6.根据权利要求1所述的像素界定层，其特征在于，所述纳米微结构的尺寸范围在50nm～600nm。

7.一种像素界定层制造方法，其特征在于，包括：

在基底上制备第一界定层，其中所述第一界定层包括设置在基底上的坝体；

在基底及第一界定层上制备第二界定层，其中位于该坝体顶部的第二界定层表面具有纳米微结构，所述坝体内侧的所述第二界定层用于阻挡侧面漏光，其中所述第二界定层为金属层，所述金属层进一步覆盖所述基底靠近所述坝体的边缘区域，并外露所述基底位于相邻的所述坝体之间的中部区域，其中位于所述坝体的顶部和侧壁以及所述边缘区域上的所述金属层均设置有所述纳米微结构，所述基底本身满足亲水性要求。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述在基底及第一界定层上制备第二界定层的步骤包括：

在第二界定层上制备光阻层；

通过纳米压印制程，压印该光阻层位于该第一界定层的坝体顶部的光阻，使其产生表面纳米微结构；

通过蚀刻制程，使得位于该坝体顶部的第二界定层表面具有纳米微结构；

去除残留光阻。

9.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述在基底及第一界定层上制备第二界定层的步骤包括：

通过掠入射沉积方式在基底及第一界定层上制备表面具有纳米微结构的第二界定层；

在位于第一界定层的坝体顶部和至少部分侧壁上的第二界定层上制备光阻层；

通过蚀刻制程去除位于坝体之间且未被所述光阻层覆盖的第二界定层；

去除残留光阻。

10.一种发光器件，其特征在于，其包括如权利要求1～6任一项所述的像素界定层以及填充于所述坝体之间的发光层。