[发明专利]一种多晶硅蚀刻方法

权利要求书

1.一种多晶硅蚀刻方法，其特征在于，包括下述步骤：

S1、将氧气和/或臭氧，以及氟类气体进行电离，得到等离子体态的第一蚀刻气体，在预设时间段通过所述第一蚀刻气体对涂布有光阻的多晶硅进行蚀刻处理；

S2、将氯气进行电离，得到等离子体态的第二蚀刻气体，通过所述第二蚀刻气体对所述多晶硅进行蚀刻处理，直至所述多晶硅蚀刻完成。

2.根据权利要求1所述的多晶硅蚀刻方法，其特征在于，所述步骤S1包括：

将涂布有光阻的所述多晶硅放置于等离子体反应器中，往所述等离子体反应器中通入氧气和/或臭氧，以及氟类气体，且开启所述等离子体反应器的激励电源，对氧气和/或臭氧，以及氟类气体进行电离，得到所述第一蚀刻气体；

开启所述等离子体反应器的偏压电源，控制所述第一蚀刻气体对所述多晶硅进行蚀刻达到所述预设时间。

3.根据权利要求2所述的多晶硅蚀刻方法，其特征在于，所述步骤S1之后还包括：

关闭所述激励电源和所述偏压电源，且停止往所述等离子体反应器中通入氧气和/或臭氧，以及氟类气体；

将所述等离子体反应器中的残留气体抽出。

4.根据权利要求2所述的多晶硅蚀刻方法，其特征在于，所述步骤S2进一步包括：

往所述等离子体反应器中通入氯气，开启所述激励电源，对所述氯气进行电离，得到所述第二蚀刻气体；

开启所述偏压电源，控制所述第二蚀刻气体对所述多晶硅进行蚀刻，直至将所述多晶硅蚀刻完成。

5.根据权利要求4所述多晶硅蚀刻方法，其特征在于，还包括下述步骤：

监测所述多晶硅的反应物所激发的光谱，判断所述多晶硅是否蚀刻完成。

6.根据权利要求4所述多晶硅蚀刻方法，其特征在于，所述激励电源和所述偏压电源的输出功率比值范围为：1/2~2/3。

7.根据权利要求4所述多晶硅蚀刻方法，其特征在于，所述氟类气体包括有：六氟化硫、四氟化碳中的至少一种。

8.根据权利要求4所述多晶硅蚀刻方法，其特征在于，所述预设时间根据预设的多晶硅线宽设定。

9.根据权利要求6所述多晶硅蚀刻方法，其特征在于，所述激励电源的输出功率范围为：3kw~20kw。