[发明专利]一种银浆粘片陶瓷封装器件的取芯片方法有效
申请号: | 201710606944.7 | 申请日: | 2017-07-24 |
公开(公告)号: | CN107393811B | 公开(公告)日: | 2019-07-23 |
发明(设计)人: | 李兴鸿;赵俊萍;黄鑫;孙健;方测宝;王勇 | 申请(专利权)人: | 北京时代民芯科技有限公司;北京微电子技术研究所 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/67 |
代理公司: | 中国航天科技专利中心 11009 | 代理人: | 庞静 |
地址: | 100076 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 银浆粘片 陶瓷封装 器件 芯片 方法 | ||
本发明提供了一种银浆粘片陶瓷封装器件的取芯片方法,具体为:(1)、将银浆粘片陶瓷封装器件开封后装入玻璃烧杯中;(2)、往玻璃烧杯中加入可溶解银浆的有机溶剂,使银浆粘片陶瓷封装器件完全没入有机溶剂中;(3)、用玻璃盖盖住烧杯,保持有机溶剂处于低于其沸点的一定温度并持续一段时间,直至银浆粘片陶瓷封装器件上的银浆充分溶解;(4)、对其进行清洗,去除附着在其上的银浆;(5)、将陶瓷封装器件干燥处理。该方法有效降低以至消除了芯片表面沾污、芯片腐蚀及机械损伤的诱因,完整保留了芯片的物理结构和电性能,完整保留了封装;溶剂可重复使用,环境污染小,操作简单,降低了成本。
技术领域
本发明涉及一种半导体器件取芯片方法,特别是银浆粘片的陶瓷基座封装的集成电路的取芯片方法。
背景技术
从封装体上无损地取下芯片的技术称为取芯片技术,用于芯片的失效分析及器件的修复。半导体芯片粘接用银浆,主要由树脂添加银粉和固化剂组成。文献《混合微电路技术手册》所述,取芯片技术为加热软化树脂法取芯片,即粘片胶在高温下软化后将芯片提起。期刊《粘接》第5期文献“半导体芯片粘接用导电胶”中表明,一种银浆固化后加热至350℃时,抗剪强度尚有20公斤/厘米2。可见要银浆软化拉起芯片的温度会应高于350℃,已到浅结芯片的退火合金的温度了,对芯片性能将有影响。加热软化法是一种广泛用于混合集成电路的返修的方法,此方法好处是完全不用化学试剂,对周围元器件及封装体影响小,但其不足之处是:难于避免芯片碎片、崩边、表面划伤、表面沾污以及芯片高温热损伤。
发明内容
本发明的技术解决问题是:克服现有技术的不足之处,提供一种银浆粘片陶瓷封装器件的取芯片方法,该方法使用有机溶剂溶解粘片胶的方法,从而克服了芯片碎片、崩边、表面划伤、沾污、金属腐蚀以及芯片高温热损伤的缺点。
本发明的技术解决方案是:一种银浆粘片陶瓷封装器件的取芯片方法,该方法包括下列步骤:
(1)、将银浆粘片陶瓷封装器件开封后装入玻璃烧杯中;
(2)、往玻璃烧杯中加入可溶解银浆的有机溶剂,使银浆粘片陶瓷封装器件完全没入有机溶剂中;
(3)、用玻璃盖盖住烧杯,保持有机溶剂处于低于其沸点的一定温度并持续一段时间,直至银浆粘片陶瓷封装器件上的银浆充分溶解;
(4)、采用工具夹住陶瓷封装将陶瓷封装器件从玻璃烧杯中提取出来,并对其进行清洗,去除附着在其上的银浆;
(5)、对陶瓷封装器件进行干燥处理。
2、根据权利要求1所述的一种银浆粘片陶瓷封装器件的取芯片方法,其特征在于所述步骤(4)清洗过程采用下列顺序进行:
(4.1)、采用丙酮超声清洗,所述丙酮超声功率50W~80W;
(4.2)、采用无水乙醇超声清洗,所述无水乙醇超声功率50W~80W;
(4.3)、采用纯水水枪倾斜喷洗芯片表面,直至附着在其上的银浆全部去除,所述纯水水枪压力为1.1atm~1.5atm。
所述步骤(4.1)的清洗时间为3min~5min。
所述步骤(4.2)的清洗时间为3min~5min。
所述步骤(5)具体为:
(5.1)、采用氮枪倾斜喷吹芯片表面,去除附着在芯片表面的水纹,所述氮枪的压力为1.1atm~1.5atm;
(5.2)、对清洗后的银浆粘片陶瓷封装器件放于干净干燥环境中自然干燥。
所述有机溶剂由乙二醇丁醚和乙醇胺组成,乙二醇丁醚和乙醇胺体积比的范围为:1.8:0.2~0.8:1.2。
本发明与现有技术相比的有益效果是:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造