[发明专利]一种银浆粘片陶瓷封装器件的取芯片方法有效

专利信息
申请号: 201710606944.7 申请日: 2017-07-24
公开(公告)号: CN107393811B 公开(公告)日: 2019-07-23
发明(设计)人: 李兴鸿;赵俊萍;黄鑫;孙健;方测宝;王勇 申请(专利权)人: 北京时代民芯科技有限公司;北京微电子技术研究所
主分类号: H01L21/02 分类号: H01L21/02;H01L21/67
代理公司: 中国航天科技专利中心 11009 代理人: 庞静
地址: 100076 北*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 银浆粘片 陶瓷封装 器件 芯片 方法
【说明书】:

发明提供了一种银浆粘片陶瓷封装器件的取芯片方法,具体为:(1)、将银浆粘片陶瓷封装器件开封后装入玻璃烧杯中;(2)、往玻璃烧杯中加入可溶解银浆的有机溶剂,使银浆粘片陶瓷封装器件完全没入有机溶剂中;(3)、用玻璃盖盖住烧杯,保持有机溶剂处于低于其沸点的一定温度并持续一段时间,直至银浆粘片陶瓷封装器件上的银浆充分溶解;(4)、对其进行清洗,去除附着在其上的银浆;(5)、将陶瓷封装器件干燥处理。该方法有效降低以至消除了芯片表面沾污、芯片腐蚀及机械损伤的诱因,完整保留了芯片的物理结构和电性能,完整保留了封装;溶剂可重复使用,环境污染小,操作简单,降低了成本。

技术领域

本发明涉及一种半导体器件取芯片方法,特别是银浆粘片的陶瓷基座封装的集成电路的取芯片方法。

背景技术

从封装体上无损地取下芯片的技术称为取芯片技术,用于芯片的失效分析及器件的修复。半导体芯片粘接用银浆,主要由树脂添加银粉和固化剂组成。文献《混合微电路技术手册》所述,取芯片技术为加热软化树脂法取芯片,即粘片胶在高温下软化后将芯片提起。期刊《粘接》第5期文献“半导体芯片粘接用导电胶”中表明,一种银浆固化后加热至350℃时,抗剪强度尚有20公斤/厘米2。可见要银浆软化拉起芯片的温度会应高于350℃,已到浅结芯片的退火合金的温度了,对芯片性能将有影响。加热软化法是一种广泛用于混合集成电路的返修的方法,此方法好处是完全不用化学试剂,对周围元器件及封装体影响小,但其不足之处是:难于避免芯片碎片、崩边、表面划伤、表面沾污以及芯片高温热损伤。

发明内容

本发明的技术解决问题是:克服现有技术的不足之处,提供一种银浆粘片陶瓷封装器件的取芯片方法,该方法使用有机溶剂溶解粘片胶的方法,从而克服了芯片碎片、崩边、表面划伤、沾污、金属腐蚀以及芯片高温热损伤的缺点。

本发明的技术解决方案是:一种银浆粘片陶瓷封装器件的取芯片方法,该方法包括下列步骤:

(1)、将银浆粘片陶瓷封装器件开封后装入玻璃烧杯中;

(2)、往玻璃烧杯中加入可溶解银浆的有机溶剂,使银浆粘片陶瓷封装器件完全没入有机溶剂中;

(3)、用玻璃盖盖住烧杯,保持有机溶剂处于低于其沸点的一定温度并持续一段时间,直至银浆粘片陶瓷封装器件上的银浆充分溶解;

(4)、采用工具夹住陶瓷封装将陶瓷封装器件从玻璃烧杯中提取出来,并对其进行清洗,去除附着在其上的银浆;

(5)、对陶瓷封装器件进行干燥处理。

2、根据权利要求1所述的一种银浆粘片陶瓷封装器件的取芯片方法,其特征在于所述步骤(4)清洗过程采用下列顺序进行:

(4.1)、采用丙酮超声清洗,所述丙酮超声功率50W~80W;

(4.2)、采用无水乙醇超声清洗,所述无水乙醇超声功率50W~80W;

(4.3)、采用纯水水枪倾斜喷洗芯片表面,直至附着在其上的银浆全部去除,所述纯水水枪压力为1.1atm~1.5atm。

所述步骤(4.1)的清洗时间为3min~5min。

所述步骤(4.2)的清洗时间为3min~5min。

所述步骤(5)具体为:

(5.1)、采用氮枪倾斜喷吹芯片表面,去除附着在芯片表面的水纹,所述氮枪的压力为1.1atm~1.5atm;

(5.2)、对清洗后的银浆粘片陶瓷封装器件放于干净干燥环境中自然干燥。

所述有机溶剂由乙二醇丁醚和乙醇胺组成,乙二醇丁醚和乙醇胺体积比的范围为:1.8:0.2~0.8:1.2。

本发明与现有技术相比的有益效果是:

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