[发明专利]一种太赫兹调制器和调制方法在审
| 申请号： | 201710607024.7 | 申请日： | 2017-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN109298547A | 公开（公告）日： | 2019-02-01 |
| 发明（设计）人： | 沈百林;李蒙;郝然;李尔平;朱海霞 | 申请（专利权）人： | 中兴光电子技术有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/01 | 分类号： | G02F1/01 |
| 代理公司： | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人： | 李红爽;李丹 |
| 地址： | 210000 江苏省南*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 太赫兹调制器 调制 石墨烯层 绝缘层 波导结构 石墨烯 电极 波导 硅层 媒质 电子迁移率 工作性能 太赫兹波 外侧设置 谐振特性 有效地 宽带 两层 入射 侧面 吸收 申请 发现 | ||
【权利要求书】：
1.一种太赫兹调制器，其特征在于，包括：波导硅层、石墨烯层、电极和绝缘层；
两层石墨烯层之间设置绝缘层，每层石墨烯层的外侧设置波导硅层，每层石墨烯层上设置电极。
2.如权利要求1所述的调制器，其特征在于：所述绝缘层为三氧化二铝绝缘层。
3.如权利要求1所述的调制器，其特征在于：所述波导硅层的电阻值大于或者等于10000Ω/cm。
4.如权利要求1所述的调制器，其特征在于：所述电极为镍电极。
5.一种太赫兹调制方法，其特征在于，应用于权利要求1-4任一所述的太赫兹调制器，包括：
太赫兹载波以平行于石墨烯层的方向从太赫兹调制器的侧面入射；
基带信号通过导线连接加在双层石墨烯层上的镍电极，通过施加电压来改变石墨烯层的化学势，进而改变石墨烯层的电导率，以使太赫兹载波经过太赫兹调制器在不同电压下石墨烯层不同的电导率而受到基带信号的幅度调制。
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