[发明专利]显示装置、阵列基板及其制造方法有效
| 申请号： | 201710607262.8 | 申请日： | 2017-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN107342298B | 公开（公告）日： | 2021-01-26 |
| 发明（设计）人： | 张帅 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L27/32;H01L21/77 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 王辉;阚梓瑄 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 显示装置 阵列 及其 制造 方法 | ||
1.一种阵列基板制造方法，包括在基板上形成半导体图案、栅极绝缘层、栅极、绝缘层以及源漏极的步骤；其特征在于，所述阵列基板制造方法还包括：
在所述基板与所述半导体图案之间形成缓冲层；
在包括所述半导体图案的基板上形成复合材料层，并对所述复合材料层进行氢化处理，所述复合材料层包括钛配合物/氧化石墨烯；所述复合材料层位于所述半导体图案背离所述基板一侧的表面上，且覆盖所述半导体图案的沟道区；
在所述复合材料层上形成暴露出所述半导体图案层的第一过孔与第二过孔，且所述第一过孔与所述第二过孔分别位于所述复合材料层相对的两个侧边；
形成覆盖所述第一过孔与第二过孔的源漏极层。
2.根据权利要求1所述的阵列基板制造方法，其特征在于，所述半导体图案的材料为多晶硅。
3.根据权利要求1所述的阵列基板制造方法，其特征在于，在包括所述半导体图案的基板上形成复合材料层包括：
通过旋涂方式在包括所述半导体图案的基板上形成复合材料层。
4.根据权利要求1所述的阵列基板制造方法，其特征在于，所述复合材料层包括H8F6N2Ti-FGO。
5.根据权利要求4所述的阵列基板制造方法，其特征在于，制备所述H8F6N2Ti-FGO的过程包括：
以鳞片石墨为原材料通过氧化反应制备氧化石墨烯，并基于所述氧化石墨烯制备氧化石墨烯乙醇溶液；
在氧化石墨烯乙醇溶液中加入尿素得到尿素-氧化石墨烯溶液；
将溶解有聚乙二醇和氟钛酸铵的离子水加入到所述尿素-氧化石墨烯溶液，进行后处理得到所述H8F6N2Ti-FGO。
6.一种阵列基板，包括基板、半导体图案、栅极绝缘层、栅极、绝缘层以及源漏极；其特征在于，所述阵列基板还包括：
缓冲层，设于所述基板与所述半导体图案之间；
设于所述半导体图案上的复合材料层，其中，所述复合材料层包括含氢原子的钛配合物/氧化石墨烯，所述复合材料层位于所述半导体图案背离所述基板一侧的表面上，且覆盖所述半导体图案的沟道区；所述复合材料层上设有暴露出所述半导体图案层的第一过孔与第二过孔，且所述第一过孔与所述第二过孔分别位于所述复合材料层相对的两个侧边；
源漏极层，覆盖所述第一过孔与所述第二过孔。
7.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述半导体图案的材料为多晶硅。
8.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述钛配合物/氧化石墨烯包括H8F6N2Ti-FGO。
9.一种显示装置，其特征在于，包括根据权利要求6至8中任一项所述的阵列基板。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
