[发明专利]一种MOSFET晶体管的开关电路

说明书

技术领域

本发明涉及信号处理领域，尤其涉及一种MOSFET晶体管的开关电路。

背景技术

目前市面上的转换器双路输出主输出均为继电器输出，该电路的缺点有以下几点：

1、触点经常带大电流断开吸合，所以长期使用易打火导致触点损坏；

2、而且大电流触点继电器成本也高，绕组工作电流大耗电导致整机效率低；

3、继电器体积大占用产品空间。

4、继电器触点通大电流工作后由于其机械触点接触后会产生导通电阻从而产生压降导致输出电压低影响整机效率。

发明内容

针对现有技术的不足，本发明的主要目的在于提供一种功耗低、稳定性强的开关电路。

根据上述目的，本发明提供一种MOSFET晶体管的开关电路，所述电路包括：供电电压源；开关晶体管，其集极通过电阻与所述供电电压源耦接，射极与第一电压输出端耦接；MOSFET晶体管，其栅极通过电阻与所述供电电压源耦接，漏级与所述第一电压输出端耦接，源极与第二电压输出端耦接。

在一实施例中，所述电路还包括：与所述第一电压输出端并联的第一电容。

在一实施例中，所述电路还包括：与所述第二电压输出端并联的第二电容。

在一实施例中，所述MOSFET晶体管的型号为BSC011N03LS。

本发明提供的一种MOSFET晶体管的开关电路，利用MOSFET晶体管的内部感应电荷来控制开关管的源漏极电流，代替原继电器触点带电开关。从而降低了成本的同时也提高可靠性，减小了产品的整体体积，增加了产品的整机效率。

附图说明

图1示出了本发明一种MOSFET晶体管的开关电路一个方面的电路图；

图2示出了控制继电器开关电路图。

具体实施方式

为了使本技术领域的人员更好地理解本发明中的技术方案，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本发明保护的范围。

请参看图1，图1示出了本发明一种MOSFET晶体管的开关电路一个方面的电路图。

开关电路包括外接电压源VDD1，开关晶体管Q1，开关晶体管Q1通过电阻R90同外接电压源VDD1耦接，开关晶体管Q1的射极直接同第一电压输出端VO+1连接。当Q13E点高电平时，开关晶体管Q1导通，电压输出端VO+1即有电压输出。

MOSFET晶体管Q10的栅极通过电阻R87和电阻R90与供电电压源VDD1耦接，MOSFET晶体管Q10的漏级与第一电压输出端耦接，源极与第二电压输出端VO+2耦接。

这样，第二电压输出端VO+2不会受电路的控制，会常输出电压。第一电压输出端VO+1即可受电路的控制，选择输出电压或者不输出电压。

D1为Q10的内部等效二极管，当输出端的电池反接时，也不会有电压流过Q10导致机器损坏。

在一实施例中，电路还包括：与第一电压输出端VO+1并联的第一电容C57。

在一实施例中，电路还包括：与第二电压输出端VO+2并联的第二电容C51。

在一实施例中，MOSFET晶体管Q10的型号为BSC011N03LS。

本发明提供的电路优点如下：

1、利用MOS晶体管的内部感应电荷来控制开关管的源漏极电流，所以无机械触点打火产生的损坏；

2、以继电器NVF4‐3A‐Z80a‐DC12V为例其的绕组的阻值为300欧姆工作电流为40mA，而用BSC011N03LS的电流在uA级就够了；

3、继电器NVF4‐3A‐Z80a‐DC12V的尺寸为29×29×26.5mm，功率管BSC011N03LS的占用空间为6×5×1mm，节省空间明显；

4、继电器NVF4‐3A‐Z80a‐DC12V触点接触电阻10mΩ,功率管BSC011N03LS导通内阻1.1mΩ，如输出电流40A，流经继电器触点的损耗为16W,而流经功率管BSC011N03LS的损耗为1.76W节电效果明显。

此外，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。