[发明专利]一种用于闪存电路中的变容二极管结构及其制造方法

权利要求书

1.一种用于闪存电路中的变容二极管结构，其特征在于，在制作所述闪存的CMOS工艺中制作所述变容二极管，其包括：

一衬底；

一第一绝缘层，形成于所述衬底上；

一浮栅极，形成于所述第一绝缘层上；

一控制栅极，与所述浮栅极相对而设；

一第二绝缘层，形成于所述浮栅极和控制栅极之间；

其中，所述衬底上形成有一源极和一漏极；所述浮栅极单独引出第一连接线作为所述变容二极管电容的一极板，所述源极的引出线、所述漏极的引出线与所述控制栅极的引出线电气连接在一起形成第二连接线作为所述变容二极管电容的另一极板，所述第一绝缘层和所述第二绝缘层为所述变容二极管电容的介质层。

2.根据权利要求1所述的变容二极管结构，其特征在于，所述第一连接线为接触孔；所述第二绝缘层和控制栅极具有上下同心的通孔，所述浮栅极的接触孔依次穿过所述通孔，连接到第一金属层；其中，所述浮栅极的接触孔与所述通孔间具有介质层。

3.根据权利要求1所述的变容二极管结构，其特征在于，所述第一连接线为接触孔；所述浮栅极具有与所述控制栅极在水平投影上的不重合部分，所述第一连接线的接触孔位于所述浮栅极的不重合部分上方与第一金属层之间。

4.根据权利要求1、2或3所述的变容二极管结构，其特征在于，所述第二连接线为接触孔；所述源极、所述漏极与所述控制栅极通过上方分别开设三个相应的接触孔分别连接到第一金属层。

5.根据权利要求1所述的变容二极管结构，其特征在于，所述浮栅极是N型掺杂的，所述衬底为N型阱，所述源极和漏极分别为N+型源极和N+型漏极。

6.根据权利要求1所述的变容二极管结构，其特征在于，所述第一绝缘层的材料为氧化硅，和/或所述第二绝缘层为氧化硅/氮化硅/氧化硅结构。

7.根据权利要求6所述的变容二极管结构，其特征在于，所述变容二极管电容与所述氧化硅的厚度相关。

8.根据权利要求1所述的变容二极管结构，其特征在于，所述浮栅极和/或所述控制栅极的材料为多晶硅。

9.一种制造权利要求1-8任意一个所述的变容二极管结构的方法，其特征在于，在制作所述闪存的CMOS工艺步骤中，同时制作形成变容二极管结构中的形成有一源极和一漏极的衬底、形成于所述衬底上的第一绝缘层，形成于所述第一绝缘层上的浮栅极、与所述浮栅极相对而设的控制栅极，以及形成于所述浮栅极和控制栅极之间第二绝缘层；且利用CMOS工艺的连线技术，将所述浮栅极的第一连接线作为所述变容二极管电容的一极板，将所述源极的引出线、所述漏极的引出线与所述控制栅极的引出线电气连接在一起形成第二连接线作为所述变容二极管电容的另一极板，所述第一绝缘层和所述第二绝缘层为所述变容二极管电容的介质层。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述第一连接线和所述第二连接线由制作接触孔工艺形成；所述源极、所述漏极与所述控制栅极通过上方分别开设三个相应的接触孔分别连接到第一金属层，所述浮栅极通过其接触孔连接到第一金属层。