[发明专利]平坦化膜的方法

说明书

技术领域

本发明实施例涉及半导体结构及其形成方法，具体地涉及平坦化膜的 方法。

背景技术

半导体集成电路(IC)产业已经经历了快速发展。IC设计和材料上的 技术进步已产生了一代又一代IC，其中，每一代IC都具有比前一代IC更 小和更复杂的电路。在IC演化过程中，功能密度(即，单位芯片面积上互 连器件的数量)普遍增大而几何尺寸缩小。这种按比例缩小工艺通常通过提 高生产效率和降低相关成本来提供益处。这种按比例缩小还增加了IC处理 和制造的复杂性。为了实现这些进步，需要IC处理和制造中的类似发展。 例如，由于不平坦的顶面，现有的光刻图案化工艺可以产生降低的临界尺 寸(CD)均匀性。因此，需要一种半导体结构及其制造方法，以解决诸如 CD均匀性的各种问题。

发明内容

根据本发明的一些实施例，提供了一种形成半导体结构的方法，包括： 在衬底上形成图案化的层，所述衬底具有彼此相邻的第一区和第二区，其 中，所述图案化的层包括位于所述第一区中的第一部件，其中，所述第二 区不含所述图案化的层；在所述图案化的层和所述衬底上形成材料层；形 成设置在所述第二区中并且围绕所述第一部件的第一保护环；在所述材料 层上方形成可流动的材料(FM)层；在所述可流动的材料层上方形成图案 化的光刻胶层，其中，所述图案化的光刻胶层包括多个开口；以及将所述 多个开口转印至所述材料层。

根据本发明的另一些实施例，还提供了一种形成半导体结构的方法， 包括：在衬底上形成图案化的层，所述衬底具有彼此相邻的第一区和第二 区，其中，所述图案化的层包括位于所述第一区中的第一部件，其中，所 述第二区不含所述图案化的层；形成设置在所述第二区中并且围绕所述第 一部件的第一保护环，其中，所述第一保护环具有宽度W并且与所述第一 部件间隔距离D，其中，W大于D；在所述图案化的层上且在所述第一保 护环上形成材料层；在所述材料层上方形成图案化的光刻胶，其中，所述 图案化的光刻胶层包括多个开口；以及将所述多个开口转印至所述材料层。

根据本发明的又一些实施例，还提供了一种半导体结构，包括：衬底， 具有彼此相邻的第一区和第二区；第一图案化的层，形成在所述衬底上， 其中，所述第一图案化的层包括位于所述第一区中的第一部件，其中，所 述第二区不含图案化的层；以及第一保护环，设置在所述第二区中并且围 绕所述第一部件，其中，所述第一保护环包括第一宽度W1并且与所述第 一部件间隔第一距离D1，W1大于D1。

附图说明

当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳地理解本发明的各个 方面。应该注意，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制。实际 上，为了清楚的讨论，各种部件的尺寸可以被任意增大或减小。

图1是根据一些实施例构建的工件的顶视图。

图2是根据一些实施例构建的半导体结构的顶视图。

图3是根据一些实施例构建的图2中的半导体结构的局部图。

图4和图5是根据一些实施例构建的在各个制造阶段处图2的半导体 结构2的局部图。

图6是根据一些实施例构建的半导体结构的顶视图。

图7是根据一些实施例构建的图6中的半导体结构的局部图。

图8、图9和图10是根据各个实施例构建的半导体结构的顶视图。

图11是根据一些实施例构建的用于制造半导体器件的示例性方法的 流程图。

图12、图13、图14、图15、图16、图17、图18A、图18B、图18C、 图18D、图19A和图19B是根据一些实施例的示例性半导体器件的局部图。

图20是根据一些实施例构建的用于制造半导体器件的示例性方法的 另一流程图。

图21、图22、图23、图24A、图24B、图25A和图25B是根据一些 实施例的示例性半导体器件的截面图。

图26是根据一些实施例构建的用于制造半导体器件的示例性方法的 另一流程图。

图27、图28、图29、图30、图31A、图31B、图32A和图32B是根 据一些实施例的示例性半导体器件的截面图。

具体实施方式