[发明专利]指纹传感器及其形成方法有效
申请号: | 201710611417.5 | 申请日: | 2017-07-25 |
公开(公告)号: | CN109299635B | 公开(公告)日: | 2021-03-09 |
发明(设计)人: | 陈福刚 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
主分类号: | G06K9/00 | 分类号: | G06K9/00 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 徐文欣;吴敏 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 指纹 传感器 及其 形成 方法 | ||
本发明提供一种指纹传感器及其形成方法,其中,所述形成方法包括:提供基底,所述基底包括多个像素区;在所述基底像素区上形成传感介质结构,所述传感介质结构中具有传感连接结构;在所述传感介质结构和传感连接结构表面形成电极板;对所述电极板进行鼓包处理,在电极板表面形成若干凸起;所述鼓包处理之后,在所述电极板上形成绝缘介质结构。指纹传感器在工作过程中,手指与所述绝缘介质结构接触,手指、绝缘介质结构和电极板构成电容器。所述凸起能够增加电极板表面的面积,从而增加所述电容器的电容,进而能够增加指纹传感器的灵敏度。
技术领域
本发明涉及半导体制造技术领域,尤其涉及一种指纹传感器及其形成方法。
背景技术
指纹传感器是实现指纹自动采集的关键器件。按传感原理,即指纹成像原理,指纹传感器可以分为光学指纹传感器、半导体电容传感器、半导体热敏传感器、超声波传感器和射频(RF)传感器等。指纹传感器的制造技术是一项综合性强、技术复杂度高、制造工艺难的高新技术。
半导体电容传感器主要是利用电容的原理实现指纹图像的采集。半导体电容传感器具有价格低、体积小、识别率高等优点,常用于手机、电脑、汽车或房屋安全识别。
半导体电容传感器的原理是,半导体电容传感器包括一块集成有成千上万半导体器件的“平板”,手指贴在“平板”上作为电容的一个电极。由于手指平面凸凹不平,凸点处和凹点处接触平板的实际距离大小就不一样,形成的电容数值也就不一样,设备根据这个原理将采集到的不同的数值汇总,也就完成了指纹的采集。
然而,现有的半导体指纹传感器的灵敏度较差。
发明内容
本发明解决的问题是提供一种指纹传感器及其形成方法,能够提高指纹传感器的灵敏度。
为解决上述问题,本发明提供一种指纹传感器的形成方法,包括:提供基底,所述基底包括多个像素区;在所述基底像素区上形成传感介质结构,所述传感介质结构中具有传感连接结构,所述传感介质结构暴露出所述传感连接结构,所述传感连接结构连接所述基底;在所述传感介质结构和传感连接结构表面形成电极板;对所述电极板进行鼓包处理,在电极板表面形成若干凸起;所述鼓包处理之后,在所述电极板上形成绝缘介质结构。
可选的,所述电极板的材料为铜。
可选的,所述鼓包处理的步骤包括:向所述电极板表面通入鼓包气体,所述鼓包气体为含氮气体;在所述鼓包气体气氛下,对所述电极板进行退火。
可选的,所述鼓包气体包括氨气和氮气中的一种或两种组合。
可选的,所述鼓包处理的工艺参数包括:鼓包气体包括氨气;氨气的流量为180sccm~220sccm;偏置功率为150W~500W;处理时间为15s~120s;退火温度为300℃~400℃。
可选的,所述电极板的厚度为
可选的,所述绝缘介质结构包括:位于所述电极板上的钝化层和位于所述钝化层上的保护层。
可选的,所述钝化层的材料包括氧化硅和氮化硅中的一种或两种组合;所述保护层的材料包括聚酰亚胺。
可选的,所述凸起为半球型,所述凸起的半径为
可选的,所述基底还包括:逻辑区以及位于所述逻辑区与像素区之间的隔离区;所述逻辑区基底上具有逻辑介质结构,所述逻辑介质结构中具有逻辑连接结构;所述隔离区基底上具有隔离介质结构;形成所述电极板之前,还包括:在所述隔离区隔离介质结构上形成隔离结构。
可选的,形成所述隔离结构的步骤包括:在所述传感介质结构、传感连接结构、隔离介质结构、逻辑介质结构和逻辑连接结构上形成隔离层;去除所述像素区和逻辑区的隔离层,形成隔离结构。
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