[发明专利]一种半导体结构及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体结构，包括多晶硅高压电阻和结型场效应晶体管，所述的多晶硅高压电阻集成于所述结型场效应晶体管上，所述多晶硅高压电阻的两端分别连接所述结型场效应晶体管的N+注入区和顶层P型注入区；

所述顶层P型注入区的下方为结型场效应晶体管的沟道；

所述顶层P型注入区包括非分段区和分段区，所述的分段区位于所述非分段区的内侧，所述非分段区下方为结型场效应晶体管的沟道，分段区下方为耐压漂移区。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于：所述多晶硅高压电阻为螺旋结构，螺旋设置于N+注入区和顶层P型注入区之间。

3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于：所述N+注入区和顶层P型注入区之间为结型场效应晶体管的漂移区，所述多晶硅高压电阻靠近N+注入区的一端为正极，靠近顶层P型注入区的一端为负极。

4.根据权利要求1、2或3所述的半导体结构，其特征在于：所述顶层P型注入区为位于深N阱上部的完整区域，所述深N阱的下部设置有分段部和非分段部，所述的分段部位于所述非分段部的外侧，所述的分段部的上方对应所述顶层P型注入区的外侧部分，分段部的结深比非分段部的结深浅。

5.一种半导体结构的制造方法，其特征在于：包括以下步骤：

将多晶硅高压电阻集成于结型场效应晶体管上，所述多晶硅高压电阻的两端分别连接所述结型场效应晶体管的N+注入区和顶层P型注入区；

所述多晶硅高压电阻为螺旋结构，螺旋设置于N+注入区和顶层P型注入区之间；

所述顶层P型注入区包括非分段区和分段区，所述的分段区位于所述非分段区的内侧，所述非分段区下方为结型场效应晶体管的沟道，分段区下方为耐压漂移区。

6.根据权利要求5所述的半导体结构的制造方法，其特征在于：所述N+注入区和顶层P型注入区之间为结型场效应晶体管的漂移区，所述多晶硅高压电阻靠近N+注入区的一端为正极，靠近顶层P型注入区的一端为负极。

7.根据权利要求5或6所述的半导体结构的制造方法，其特征在于：所述顶层P型注入区为位于深N阱上部的完整区域，所述深N阱的下部设置有分段部和非分段部，所述的分段部位于所述非分段部的外侧，所述的分段部的上方对应所述顶层P型注入区的外侧部分，分段部的结深比非分段部的结深浅。