[发明专利]用于磁性介质图案化的抗蚀剂强化在审
申请号: | 201710611689.5 | 申请日: | 2011-07-25 |
公开(公告)号: | CN107492386A | 公开(公告)日: | 2017-12-19 |
发明(设计)人: | 克里斯托弗·D·本彻;罗曼·古科;史蒂文·维哈维伯克;夏立群;李龙元;马修·D·斯科特奈伊-卡斯特;马丁·A·希尔金;皮特·I·波尔什涅夫 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | G11B5/85 | 分类号: | G11B5/85;G11B5/855;G11B5/74 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司11006 | 代理人: | 徐金国,赵静 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 磁性 介质 图案 抗蚀剂 强化 | ||
1.一种具有磁化层的衬底,所述磁化层包含:
多个具有第一磁性值的第一畴;
多个具有第二磁性值的第二畴;以及
介于所述多个第一畴与所述多个第二畴之间的过渡区,所述过渡区的尺寸小于约2nm,其中所述多个第一畴和所述多个第二畴各自的尺寸小于约25nm。
2.如权利要求1的衬底,其中所述多个第一畴掺杂硼、氟、硅、碳、氮或氧。
3.如权利要求2的衬底,其中所述多个第二畴实质不含掺杂剂。
4.如权利要求1的衬底,其中所述多个第一畴掺杂硼。
5.如权利要求4的衬底,其中所述多个第一畴掺杂的浓度达1016至1022个原子/立方厘米。
6.如权利要求1的衬底,其中所述多个第一畴掺杂硅。
7.如权利要求1的衬底,其中所述多个第一畴掺杂碳。
8.如权利要求1的衬底,进一步包含:
形成在所述磁化层上的接触防止层。
9.如权利要求8的衬底,进一步包含:
形成在所述接触防止层上的润滑层。
10.一种用于处理衬底的设备,所述设备包含:
衬底搬运部,所述衬底搬运部经由一或多个负载锁定腔室耦接至衬底处理部,所述衬底处理部包含等离子体增强原子层沉积(PEALD)腔室和一或多个等离子体浸没腔室,所述等离子体增强原子层沉积(PEALD)腔室和一或多个等离子体浸没腔室耦接至传送腔室,并且所述衬底搬运部包含装载部、传送部、翻转部和界面部。
11.如权利要求10的设备,其中所述衬底处理部还包含等离子体清洁腔室。
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