[发明专利]一种离子注入剂量自动控制方法及系统

权利要求书

1.一种离子注入剂量自动控制方法，适用于半导体制造工艺中，所述半导体制造工艺中包括多层的制造工序；其特征在于，针对每层的所述制造工序分别预先设定一标准注入剂量；

针对每层的所述制造工序，预先设定多个目标剂量范围，以及针对每个所述目标剂量范围分别预先设定一离子注入程式；

针对需要进行离子剂量注入自动控制的当前层的所述制造工序的所述离子注入剂量自动控制方法具体包括：

步骤S1，预先定义需要进行离子注入剂量自动控制的注入工艺层次、该注入工艺层次的相关特定前层制造工序、相关特定前层的所述制造工序对离子注入剂量的影响参数；

步骤S2，根据关联于所述当前层的所有所述影响参数以及所述当前层的所述制造工序对应的所述标准注入剂量，处理得到当前层的目标注入剂量；

步骤S3，将当前层的所述目标注入剂量与预设的所述目标剂量范围进行比较，以确定与所述目标注入剂量相匹配的所述目标剂量范围；

步骤S4，选择与被确定的所述目标剂量范围相对应的所述离子注入程式，并根据被选择的所述离子注入程式确定当前层的所述制造工序中的离子注入剂量。

2.如权利要求1所述的离子注入剂量自动控制方法，其特征在于，所述步骤S1中，依据下述公式分别获取每一层的所述制造工序的所述影响参数；

A_n＝a_n*(S'_n-S_n)；

其中，

A_n用于表示所述影响参数，下标n用于表示所述制造工序对应层的序号；

a_n表示对应第n层的所述制造工艺预设的注入影响系数；

S’_n用于表示第n层的所述制造工艺中测量得到的实际制造数据；

S_n用于表示第n层的所述制造工艺中预设的标准制造数据。

3.如权利要求1所述的离子注入剂量自动控制方法，其特征在于，所述步骤S2中，依据下述公式处理得到对应当前层的所述制造工艺的所述目标注入剂量：

其中，

B’用于表示所述目标注入剂量；

B用于表示所述标准注入剂量；

A_n用于表示所述影响参数，下标n用于表示所述制造工序对应层的序号；

m用于表示当前层之前的所有层的所述制造工艺的总层数。

4.如权利要求1所述的离子注入剂量自动控制方法，其特征在于，所述步骤S4中，通过将被选择的所述离子注入程式输出至用于执行当前层的所述制造工艺的半导体制造机台的方式控制所述半导体制造机台确定当前层的所述制造工艺中的所述离子注入剂量。

5.一种离子注入剂量自动控制系统，适用于半导体制造工艺中，所述半导体制造工艺中包括多层的制造工序；其特征在于，包括：

第一存储单元，于所述第一存储单元中针对每层的所述制造工序分别预先设定并保存一标准注入剂量；

第二存储单元，于所述第二存储单元中预先设定并保存多个目标剂量范围，以及针对每个所述目标剂量范围分别预先设定并保存一离子注入程式；

第一处理单元，用于分别预先定义当前层之前特定层的所述制造工序中离子注入剂量的影响参数；

第二处理单元，分别连接所述第一处理单元和所述第一存储单元，用于根据当前层之前的所有层的所述制造工序的所述影响参数以及当前层的所述制造工序对应的所述标准注入剂量，处理得到当前层的目标注入剂量；

比较单元，分别连接所述第二处理单元和所述第二存储单元，用于将当前层的所述目标注入剂量与预设的所述目标剂量范围进行比较，以确定与所述目标注入剂量相匹配的所述目标剂量范围，并输出相应的比较结果；

选择单元，分别连接所述比较单元和所述第二存储单元，用于根据所述比较结果，选择与被确定的所述目标剂量范围相对应的所述离子注入程式，并根据被选择的所述离子注入程式确定当前层的所述制造工序中的离子注入剂量。