[发明专利]跨阻放大器在审

专利信息
申请号: 201710613707.3 申请日: 2017-07-25
公开(公告)号: CN107395133A 公开(公告)日: 2017-11-24
发明(设计)人: 邹何洪 申请(专利权)人: 杭州洪芯微电子科技有限公司
主分类号: H03F1/26 分类号: H03F1/26;H03F3/08;H03F3/45;H03F3/68
代理公司: 杭州知通专利代理事务所(普通合伙)33221 代理人: 姚宇吉
地址: 310000 浙江省杭州市江干*** 国省代码: 浙江;33
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 放大器
【说明书】:

技术领域

发明涉及COMS技术领域,特别涉及一种扩大增益,减少噪音,并且设计简单的跨阻放大器。

背景技术

跨阻放大器(TIA)全称为trans-impedance amplifier,是放大器类型的一种,放大器类型是根据其输入输出信号的类型来定义的。TIA由于具有高带宽的优点,一般用于高速电路,如光电传输通讯系统中普遍使用。

跨阻放大器的等效输入噪音大小是衡量其传输性能的重要指标之一,为了提高跨阻放大器的灵敏度务必需要减少噪音的输出,而减少噪音输出的其中一种方式可通过增大跨阻来实现,理论上跨阻越大,噪音就越小,但是跨导的受条件限制,跨导可以增大的前提条件必须是有一个好的频率响应,频率响应好坏与否可以从增益带宽乘积上体现。现有的跨阻放大器为提供稳定的电压工作点,采用PMOS和NMOS相结合的方式来实现上述效果,但是由于PMOS的工作特性局限,其fT较小,等效电容较大,这在一定程度上导致了增益带宽乘积变小,从而使得跨导的取值很难进一步变大,跨阻放大器的输出噪音大小不能进一步降低。

发明内容

本发明提供一种跨阻放大器,目的在于解决上述问题。

为解决上述问题,本发明实施例提供一种跨阻放大器,包括:

等效二级放大模块,具有一输入端和一输出端,输入端耦接光二极管,用于接入输入电压信号,输出端用于输出二级放大后的第一电压信号;

反相放大单元,耦接所述等效二级放大单元的输出端,用于接入第一电压信号,输出反相放大后的放大电压信号,反相放大单元包括第三N型晶体管和第四N型晶体管,第三N型晶体管的第一端和第二端均用于接收第三直流电压信号,第三端用于输出反相放大后的放大电压信号;第四N型晶体管第一端耦接第三N型晶体管的第三端,第二端耦接等效二级放大模块的输出端,用于接收第一电压信号,第三端接地;

以及反馈电阻,耦接所述等效二级放大模块的输入端与所述反相放大单元的输出端。

作为一种实施方式,所述等效二级放大模块包括:

一级放大单元,耦接光二极管,用于接入输入电压进行一次放大;

二级放大单元,耦接所述一级放大单元,用于对一次放大单元输出的信号进行二次放大,并输出经一级放大单元和二级放大单元放大后的第一电压。

作为一种实施方式,所述一级放大单元包括:

第一P型晶体管,第一端用于接收第一直流电压信号,第二端耦接光二极管,第三端耦接所述二级放大单元;

第一N型晶体管,第一端耦接所述第一P型晶体管的第三端,第二端耦接光二极管,第三端接地。

作为一种实施方式,所述二级放大单元包括:

第二P型晶体管,第一端用于接收第二直流电压信号,第二端耦接一级放大单元,第三端用于输出第一电压;

第二N型晶体管,第一端耦接第二P型晶体管的第三端,第二端耦接一级放大单元,第三端接地;

以及第一反馈电阻,耦接所述第二P型晶体管第二端与所述第二N型晶体管的第三端之间。

作为一种实施方式,所述反相放大单元还包括一电阻,电阻的一端用于接收第三直流电压信号,另一端耦接第三N型晶体管的第二端。

作为一种实施方式,所述第三N型晶体管采用Native NFET。

本发明相比于现有技术的有益效果在于:通过采用双N型晶体管的组成的反相放大单元可增进其增益频宽乘积,因此,在给定一个相同固定频宽时,本发明跨阻放大器的增益频宽乘积远高于现有中的跨阻放大器。由此,跨阻放大器的反馈电阻RF可不受原有条件制约,设计成一个高阻值的电阻,从而进一步降低跨阻放大器的输入噪音,增加跨阻放大器的灵敏度。

附图说明

图1为本发明的实施例一的跨阻放大器的示意图;

图2为本发明的实施例二的跨阻放大器的示意图;

图3为本发明的实施例三的跨阻放大器的示意图。

附图标注:100、跨阻放大器;101、等效二级放大模块;1011、一级放大单元;1012、二级放大单元;102、反相放大单元;103、光二极管。

具体实施方式

以下结合附图,对本发明上述的和另外的技术特征和优点进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明的部分实施例,而不是全部实施例。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于杭州洪芯微电子科技有限公司,未经杭州洪芯微电子科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710613707.3/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top