[发明专利]脆性材料基板裂片装置及使用所述装置的裂片方法在审
申请号: | 201710613859.3 | 申请日: | 2017-07-25 |
公开(公告)号: | CN109244037A | 公开(公告)日: | 2019-01-18 |
发明(设计)人: | 谢孟学;苏志鸿 | 申请(专利权)人: | 煜峰投资顾问有限公司 |
主分类号: | H01L21/78 | 分类号: | H01L21/78;H01L21/67 |
代理公司: | 北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙) 11435 | 代理人: | 陈姗姗;郭栋梁 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 脆性材料基板 裂片装置 预切 裂片 刻道 突出结构 上表面 下表面 预定位置 承载 对准 | ||
本发明公开了一种脆性材料基板裂片装置及使用所述装置的裂片方法。所述装置包括平台,用以承载具有相对上、下表面的脆性材料基板,平台上包括多个突出结构,且脆性材料基板是通过下表面被放置于平台上的所述多个突出结构上;预切刻装置,设置于平台的上方,且预切刻装置可在脆性材料基板的上表面的预定位置进行预切刻,并形成深度小于脆性材料基板厚度的预切刻道;以及线型裂片装置,设置于平台的上方,且线型裂片装置在对准预切刻道后,可朝脆性材料基板的上表面运动,使脆性材料基板在线型裂片装置接触到预切刻道时,被线型裂片装置的张力裂片成面积更小的次脆性材料基板。本发明裂片可提高脆性材料基板的利用率。
技术领域
本发明是关于一种脆性材料基板裂片装置及使用所述装置的裂片方法。
背景技术
目前,半导体业以及面板业,在相关工艺完成后,必须进一步经由切刻、裂片程序,才能将基板裂片成面积更小的次基板。其中,常见的裂片手段是先在基板上形成预切刻道,然后再利用撞击耳料区或自预切刻道的正面或背面施以瞬间应力,使原本的基板裂片成面积更小的此基板。然而,这些裂片工艺均遭遇耳料浪费、切刻边缘不平整、甚至污染基板上的组件等缺点。有鉴于此,业界殷切期盼开发一种适用于半导体业或面板业的裂片装置以及利用所述裂片装置的裂片方法,以改进目前的裂片装置以及利用所述裂片装置的裂片方法所面临的缺点。
发明内容
有鉴于此,本发明公开了一种脆性材料基板裂片装置,其特征在于利用预切刻装置在所述脆性材料基板上的预定处形成深度小于所述脆性材料基板厚度的预切刻道,然后再利用线型裂片装置朝所述脆性材料基板的表面运动,使所述脆性材料基板在所述线型裂片装置接触到所述预切刻道时,被所述线型裂片装置的张力裂片成面积更小的次脆性材料基板,采用本发明裂片,可提高脆性材料基板的利用率。
本发明的特征是公开了一种脆性材料基板裂片装置,包括:平台,用以承载具有相对上、下表面的脆性材料基板,所述平台上包括多个突出结构,且所述脆性材料基板是通过所述下表面被放置于所述平台上的所述多个突出结构上;预切刻装置,设置于所述平台的上方,且所述预切刻装置可在所述脆性材料基板的所述上表面的预定位置进行预切刻,并形成深度小于所述脆性材料基板厚度的预切刻道;以及线型裂片装置,设置于所述平台的上方,且所述线型裂片装置在对准所述预切刻道后,可朝所述脆性材料基板的所述上表面运动,使所述脆性材料基板在所述线型裂片装置接触到所述预切刻道时,被所述线型裂片装置的张力裂片成面积更小的次脆性材料基板。
本发明的另一特征是公开了另一种脆性材料基板裂片装置,包括:载体,用以承载具有相对上、下表面的脆性材料基板,所述载体包括第一平台与第二平台与连结所述第一平台与所述第二平台的连接结构,所述第一平台与所述第二平台之间具有第一间隔,且所述第一平台与所述第二平台位于同一水平面,其中所述第一平台与所述第二平台上均包括多个突出结构,且所述脆性材料基板是通过所述下表面被放置于所述第一平台与第二平台上的所述多个突出结构上;预切刻装置,设置于所述载体的上方,且所述预切刻装置可在所述脆性材料基板的所述上表面的对准于所述第一间隔处的预定位置进行预切刻,并形成深度小于所述脆性材料基板厚度的预切刻道;以及线型裂片装置,设置于所述载体的所述第一间隔处的上方,且所述线型裂片装置在对准所述预切刻道后,可朝所述脆性材料基板的所述上表面运动,使所述脆性材料基板在所述线型裂片装置接触到所述预切刻道时,被所述线型裂片装置的张力裂片成面积更小的次脆性材料基板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造