[发明专利]一种硅片一次负压扩散工艺有效
| 申请号： | 201710615675.0 | 申请日： | 2017-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN109308996B | 公开（公告）日： | 2021-02-05 |
| 发明（设计）人： | 李亚哲;王彦君;孙晨光;徐长坡;陈澄;武卫;梁效峰;黄志焕;杨玉聪;李丽娟;朱建佶 | 申请（专利权）人： | 天津环鑫科技发展有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/228 | 分类号： | H01L21/228 |
| 代理公司： | 天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 12213 | 代理人： | 栾志超 |
| 地址： | 300380 天津市西青区*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 硅片 一次 扩散 工艺 | ||
1.一种硅片一次负压扩散工艺，其特征在于：包括如下步骤：
1)低压扩散：将涂覆扩散源后的硅片在扩散炉内进行低压扩散；
所述步骤1)中的低压扩散具体步骤为：
a.将所述涂覆扩散源后的硅片置于所述扩散炉中，并将所述扩散炉内气压抽至负压；
b.将所述扩散炉温度升至1250℃-1300℃进行恒温扩散，恒温时间为10-30h；
c.扩散结束后，将所述扩散炉温度降至550℃-650℃进行出炉。
2.根据权利要求1所述的硅片一次负压扩散工艺，其特征在于：所述步骤1)负压扩散步骤之前还包括印刷扩散源。
3.根据权利要求2所述的硅片一次负压扩散工艺，其特征在于：所述印刷扩散源采用丝网印刷技术，具体包括以下步骤：
A.在经过扩散前处理的硅片一面印刷磷扩散源：将所述磷扩散源喷涂在网版上，所述硅片置于所述网版下方，用刮刀将所述磷扩散源印刷至所述硅片表面；
B.将印刷完所述磷扩散源的硅片置于烘箱中，对所述磷扩散源进行烘干；
C.按步骤A、步骤B的工艺将硼扩散源或硼铝扩散源印刷至所述硅片另一面，并进行烘烤；
D.将所述硅片两面喷洒上Al2O3粉末或硅粉。
4.根据权利要求3所述的硅片一次负压扩散工艺，其特征在于：所述步骤B中的烘干时间根据扩散源的印刷量确定。
5.根据权利要求2-4任一项所述的硅片一次负压扩散工艺，其特征在于：所述印刷扩散源后还包括叠片装舟。
6.根据权利要求5所述的硅片一次负压扩散工艺，其特征在于：所述的叠片装舟的步骤为：将所述硅片硼源面或硼铝源面与硼源面或硼铝源面相对，将磷源面与磷源面相对进行叠片装舟。
7.根据权利要求1-4、6任一项所述的硅片一次负压扩散工艺，其特征在于：扩散后还包括扩散后处理，具体为将扩散后的硅片置于酸中进行扩散后处理。
8.根据权利要求7所述的硅片一次负压扩散工艺，其特征在于：所述扩散后处理中的酸为氢氟酸。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
