[发明专利]一种硅片光刻版工艺

说明书

一种硅片光刻版工艺，步骤包括：S1、对硅片进行光刻；S2、对光刻后的硅片进行沟槽腐蚀；S3、对沟槽腐蚀后的硅片进行电泳，生成钝化层；S4、去除氧化层；S5、对硅片表面镀金；S6、划片；所述S1光刻时硅片采用白方块点划线式基准线；所述S2腐蚀出点划线式基准线；所述S4采用湿法刻蚀去除氧化层。本发明相较于原工艺的有益效果是：可以采用湿法去除氧化层，且能保留硅片表面面清晰的基准线，便于后续切割时有轨迹可依；光刻工序减少了背胶的步骤，缩短了流程，降低了化工料的损耗。

技术领域

本申请属于GPP生产技术领域，具体地说，涉及一种硅片光刻版工艺。

背景技术

GPP是Glassivation passivation parts的缩写，是玻璃钝化类器件的统称。该产品就是在现有产品普通硅整流扩散片的基础上对拟分割的管芯P/N结面四周烧制一层玻璃，玻璃与单晶硅有很好的结合特性，使P/N结获得最佳的保护，免受外界环境的侵扰，提高器件的稳定性，信赖性极佳。也因此GPP在电子领域的应用越来越广泛。相应的GPP生产工艺，越来越受到行业内的关注，如何更有效、更快速、更高品质的生产GPP成为一个课题。光刻版工艺目的是在硅片上光刻出相应的图形，便于后续按此图形进行沟槽腐蚀。光刻工艺后续需要采用打砂工艺进行氧化层的去除。目前常用的光刻版工艺N面的划片基准线图形是黑方块白线条，该光刻工艺一般后续采用单面打砂的方式去除氧化层，若使用湿法去除氧化层，则不可避免两面同时侵液去除氧化层，则N面基准线处的氧化层会一起被去除掉，使得后续划片时无线可依。

发明内容

有鉴于此，本申请所要解决的技术问题是提供了一种硅片光刻版工艺来实现玻璃钝化，能够采用湿法去除氧化层，且保留清晰基准线，使得后道划片切割时有轨迹可循。

为了解决上述技术问题，本申请公开了一种硅片光刻版工艺，并采用以下技术方案来实现：

一种硅片光刻版工艺，步骤包括：S1、对硅片进行光刻；S2、对光刻后的硅片进行沟槽腐蚀；S3、对沟槽腐蚀后的硅片进行电泳，生成钝化层；S4、去除氧化层；S5、对硅片表面镀金；S6、划片；进行所述S1步骤时采用白方块点划线式基准线；进行所述S2步骤时腐蚀出点划线式基准线。

进一步的，所述S1光刻时所述硅片两面均采用白方块点划线式基准线。

进一步的，所述S1光刻时所述硅片N面采用白方块点划线式基准线。

进一步的，所述S1中光刻时P面图形采用白方块黑线条。

进一步的，所述S4采用湿法刻蚀去除氧化层。

进一步的，所述湿法刻蚀去除氧化层具体为湿法BOE去除氧化层。

一种光刻版硅片，所述硅片两面均设有点划线式基准线。

一种光刻版硅片，所述硅片N面设有点划线式基准线。

一种光刻版硅片，所述硅片P面设有点划线式基准线。

与现有技术光刻工艺相比，本申请可以获得包括以下技术效果：可以采用湿法去除氧化层，且保留N面清晰的划片基准线，便于后续切割时有轨迹可依；湿法去除氧化层不仅可以降低生产成本，还可以批处理高产出，提高GPP生产效率；光刻工序减少了涂背胶的步骤，缩短了流程，降低了化工料的损耗。

当然，实施本申请的任一产品必不一定需要同时达到以上所述的所有技术效果。

附图说明

此处所说明的附图用来提供对本申请的进一步理解，构成本申请的一部分，本申请的示意性实施例及其说明用于解释本申请，并不构成对本申请的不当限定。在附图中：

图1是本申请P面光刻图形。

图2是本申请镀金后P面图形。