[发明专利]一种GPP玻钝工艺方法有效
申请号: | 201710615708.1 | 申请日: | 2017-07-26 |
公开(公告)号: | CN109309018B | 公开(公告)日: | 2021-10-08 |
发明(设计)人: | 王晓捧;王彦君;孙晨光;徐长坡;陈澄;武卫;梁效峰;王宏宇;杨玉聪;史丽萍;徐艳超;陈亚彬 | 申请(专利权)人: | 天津环鑫科技发展有限公司 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;H01L21/268;H01L21/306 |
代理公司: | 天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 12213 | 代理人: | 栾志超 |
地址: | 300380 天津市西青区*** | 国省代码: | 天津;12 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 gpp 工艺 方法 | ||
一种GPP玻钝工艺方法,步骤包括:S1、印刷保护层,以便在后续沟槽腐蚀时对硅片的无需腐蚀部分进行保护;S2、沟槽开槽:对硅片进行开槽处理,使开槽程度达到GPP芯片的要求;S3、LPCVD‑poly:槽内进行Poly生长,使电参数更稳定;S4、印刷钝化层:采用印刷钝化层的方式使开槽完成的硅片钝化;S5、烧成:经过高温将钝化层中玻璃粉固化,最终达到钝化的效果。本发明相较于原工艺的有益效果是缩短工艺流程、提高GPP性能、提高生产效率。
技术领域
本申请属于GPP生产技术领域,具体地说,涉及一种GPP玻钝工艺方法。
背景技术
GPP是Glassivation passivation parts的缩写,是玻璃钝化类器件的统称。该产品就是在现有产品普通硅整流扩散片的基础上对拟分割的管芯P/N结面四周烧制一层玻璃,玻璃与单晶硅有很好的结合特性,使P/N结获得最佳的保护,免受外界环境的侵扰,提高器件的稳定性,信赖性极佳。也因此GPP在电子领域的应用越来越广泛。相应的GPP生产工艺,尤其钝化工艺,越来越受到行业内的关注,如何更有效、更快速、更高品质的生产GPP成为一个课题。
发明内容
有鉴于此,本申请所要解决的技术问题是提供了一种GPP玻钝工艺方法,能够使得生产出的GPP性能更稳定,同时提高生产效率。
为了解决上述技术问题,本申请公开了一种GPP玻钝工艺方法,并采用以下技术方案来实现。
一种GPP玻钝工艺方法,步骤包括:S1、印刷保护层:便于在后续沟槽腐蚀时对硅片无需腐蚀部分进行保护;S2、沟槽开槽:对硅片进行开槽处理,使开槽程度达到GPP芯片的要求;S3、LPCVD-poly:槽内进行Poly生长,使电参数更稳定;S4、印刷钝化层:采用印刷钝化层的方式使开槽完成的硅片钝化;S5、烧成:经过高温将所述钝化层中玻璃粉固化,最终达到钝化的效果。
进一步的,所述S1印刷保护层的步骤依次包括上片、打标面识别、翻转硅片、硅片双面印保护层和烘烤。
优选的,所述上片工位处设有外观检查工位和周转缓冲站。
进一步的,所述硅片双面印保护层的步骤依次包括:反面印保护层、烘干、翻面、正面印保护层和烘干;所述反面印保护层和所述正面印保护层顺序可以互换。
优选的,所述翻面工位处设有外观检查工位和周转缓冲站。
进一步的,所述S2沟槽开槽包括初步的激光开槽和进一步的腐蚀开槽。
优选的,所述沟槽开槽的步骤依次包括:上料、分片、激光开槽、收料、腐蚀开槽、去除表面保护层、清洗、烘干、下料。
进一步的,所述腐蚀开槽为酸腐蚀;所述腐蚀开槽的步骤包括酸腐蚀和酸清洗。
进一步的,所述去除表面保护层为碱去除;所述去除表面保护层的步骤包括碱去除保护层和碱清洗。
进一步的,所述清洗包括酸碱清洗和两级超声清洗;所述酸碱清洗包括酸剂清洗和碱剂清洗,所述酸剂清洗和所述碱剂清洗后均进行一次纯水清洗。
进一步的,所述LPCVD-poly的步骤依次包括:入炉、Poly生长、出炉。
进一步的,所述印刷钝化层的步骤依次包括一次印刷、烘干、二次印刷、烘干。
优选的,所述一次印刷前设有外观检查工位和周转缓冲站。
进一步的,所述印刷保护层和所述印刷钝化层的步骤中,在印刷台前均设有定位装置,用于定位硅片,使所述硅片与印刷模具位置对应。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于天津环鑫科技发展有限公司,未经天津环鑫科技发展有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710615708.1/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种印刷玻璃浆料工艺
- 下一篇:测试结构和测试方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造