[发明专利]一种硅锗黑磷烯PIN异质结太阳能电池

权利要求书

1.一种硅锗黑磷烯PIN异质结太阳能电池，其特征在于：所述PIN异质结太阳能电池由下至上依次包括背电极、N型硅基底、N型硅纳米线阵列、本征非晶锗层、P型黑磷烯层、透明导电层和上电极，其中N型硅纳米线阵列、本征非晶锗层和P型黑磷烯层形成的PIN异质结为径向异质结，N型硅纳米线阵列的单个硅纳米线的长度为0.5-1微米，所述单个硅纳米线的直径为50-100纳米，相邻硅纳米线的间距为200-500纳米，所述本征非晶锗层的厚度为20-100纳米，所述P型黑磷烯层的厚度为20-150纳米。

2.根据权利要求1所述的硅锗黑磷烯PIN异质结太阳能电池，其特征在于：所述背电极和所述上电极的材质银、铝、钛、钯中的一种或多种，所述N型硅基底的背面被所述背电极完全覆盖，所述背电极的厚度为50-200纳米，所述上电极为栅电极。

3.根据权利要求1所述的硅锗黑磷烯PIN异质结太阳能电池，其特征在于：所述透明导电层的材料为氧化铟锡、铝掺杂氧化锌或石墨烯，所述透明导电层的厚度为100-200纳米。

4.根据权利要求1所述的硅锗黑磷烯PIN异质结太阳能电池，其特征在于：在所述透明导电层以及所述上电极的表面具有减反射膜，所述减反射膜的材料为二氧化硅、氮化硅、氧化铝或二氧化锆中的一种或多种，所述减反射膜的厚度为50-100纳米。