[发明专利]5G通讯20GHz激光器双芯片封装基座及其制造方法

权利要求书

1.一种5G通讯20GHz激光器双芯片封装基座，包括基座体,其特征在于:所述基座体上安装有支撑件,一印刷电路板装于所述支撑件中,所述印刷电路板上设有第一激光器芯片与第二激光器芯片,所述印刷电路板以银浆印刷混合微波电路及以帕尔帖浆料印刷TEC电路,二个用于激光器输入电流监测的探测器PD安装于基座体上,在基座体中还装有50欧姆高速调制电信号输入引脚、探测器PD输入端引脚、TEC电路的输入端引脚、接地输出引脚；

所述50欧姆高速调制电信号输入引脚、探测器PD输入端引脚和TEC电路的输入端引脚、接地输出引脚分别穿设于玻璃绝缘子内孔绝缘封装于基座体中。

2.根据权利要求1所述的5G通讯20GHz激光器双芯片封装基座，其特征在于:所述50欧姆高速调制电信号输入引脚有两个，为同轴结构设置。

3.根据权利要求1所述的5G通讯20GHz激光器双芯片封装基座，其特征在于:所述印刷电路板其衬底采用氮化铝基片。

4.根据权利要求1所述的5G通讯20GHz激光器双芯片封装基座，其特征在于:所述基座体为10号碳钢镀镍3-5微米。

5.根据权利要求1所述的5G通讯20GHz激光器双芯片封装基座，其特征在于:所述50欧姆高速调制电信号输入引脚为4J50铁镍合金，镀镍3-5微米。

6.根据权利要求1所述的5G通讯20GHz激光器双芯片封装基座，其特征在于:所述探测器PD输入端引脚和TEC电路的输入端引脚为4J50铁镍合金，镀镍3-5微米。

7.根据权利要求1所述的5G通讯20GHz激光器双芯片封装基座，其特征在于:所述支撑件为无氧铜，镀镍3-5微米，以钎焊材料焊接于基座体上。

8.根据权利要求1所述的5G通讯20GHz激光器双芯片封装基座，其特征在于:所述玻璃绝缘子采用HYG9系列低损耗、低介电常数玻璃。

9.一种5G通讯20GHz激光器双芯片封装基座制造方法，其特征在于包括:

(1)基座体：采用10号碳钢，经过精密冲压成型，除油清洗后镀镍3-5微米；

(2)支撑件：采用无氧铜，镀镍3-5微米，采用厚度为0.1毫米的85-15银铜焊料，焊接于基座体上；

(3)印刷电路板：采用高导热氮化铝基片，长宽1.5毫米，高度0.8毫米，厚度0.3毫米；设置第一激光器芯片与第二激光器芯片，以银浆印刷混合微波电路及以帕尔帖浆料印刷TEC电路；

(4)玻璃绝缘子：采用HYG9系列低损耗、低介电常数玻璃压制成型素烧成玻璃绝缘子；

(5)输入引脚：50欧姆高速调制电信号输入引脚，材料采用4J50铁镍合金，加工成14.5毫米长度，直径0.3毫米。除油清洗后镀镍3-5微米；探测器PD输入端引脚和TEC电路的输入端引脚，采用4J50铁镍合金，加工成14.5毫米长度，直径0.45毫米，除油清洗后镀镍3-5微米；

(6)烧结和钎焊夹具：采用石墨材料；

(7)除印刷电路板外，将以上材料组装在夹具上，放入气氛烧结炉中，温区温度设定参数为：300℃—950℃—300℃—200℃；时间：90-150分钟；气氛：分段控制氧化还原气氛；

(8)表面处理：以上半成品镀金0.1-0.25微米；

(9)印刷电路板接合，将上述镀金后的基座放置于夹具上，将印刷电路板共晶接合到支撑件垂直面，得到成品。