[发明专利]光转换的器件及其制备方法、红外成像设备在审
申请号: | 201710616883.2 | 申请日: | 2017-07-26 |
公开(公告)号: | CN109309102A | 公开(公告)日: | 2019-02-05 |
发明(设计)人: | 陈崧;曹蔚然;杨一行;向超宇;钱磊 | 申请(专利权)人: | TCL集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 深圳中一专利商标事务所 44237 | 代理人: | 官建红 |
地址: | 516006 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光转换 红外成像设备 像素 制备 并列设置 出光效率 发光部件 感光部件 工艺难度 显示器件 制备工艺 体积小 重量轻 衬底 感光 成像 打印 复制 | ||
本发明属于显示器件领域,提供了光转换的器件及其制备方法、红外成像设备。本发明提供的光转换的器件,通过将感光部件和发光部件采取衬底上并列设置的方式进行组合,同时通过增益部件进行连接,从而实现器件的增益效果,使得器件具有更高的感光出光效率;由于器件的结构紧凑、体积小、重量轻,因而满足了器件便携式成像的要求;并且由于每个像素的结构简单、工艺难度低,使得每一个像素都适合现有的打印制备工艺,降低成本,可实现大面积的复制。
技术领域
本发明属于显示器件领域,尤其涉及一种光转换的器件及其制备方法、红外成像设备。
背景技术
红外成像技术已经在医疗、军事、夜视、卫星以及民用等领域有着重要应用,一直是科学研究的一个热点。近几十年来,科研工作者们提出了可实现低频率的红外光到较高频的近红外或者高频率的可见光转换成像装置。
通常的红外-可见转换成像装置(或者光子能量上转换装置)是基于硅材料和光电倍增管的装置,装置的体积大,当其作为可穿戴的夜视装置时,存在耗电高、便携性差的缺点。为了改善前述的缺点,研究者开始转向于研究基于薄膜的夜视装置。其中较近期的一项改进是将感光和发光材料整合至一个像素中并用一个有增益功能的漏栅晶体管连接感光和发光部分,形成一个复杂的叠层结构。然而,这样的器件虽具有薄膜厚度、透明和外量子效率较高的特点,但由于器件结构复杂、工艺难度高,实现较大面积的复制是十分困难的。
因此,现有的红外-可见转换成像装置存在耗电高、便携性差、结构复杂、工艺难度高、生产成本高、难以实现较大面积的复制以及难以获得较高增益的问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种光转换的器件及其制备方法、红外成像设备,旨在解决因此,现有的红外-可见转换成像装置存在耗电高、便携性差、结构复杂、工艺难度高、生产成本高、难以实现较大面积的复制以及难以获得较高增益的问题。
本发明提供了一种光转换的器件,所述器件包括:
衬底;
增益部件;
设置在所述衬底和所述增益部件之间的且并列设置的感光部件和发光部件;
其中,所述感光部件和所述发光部件通过所述增益部件连接。
本发明还提供了一种光转换的器件的制备方法,所述制备方法包括以下步骤:
在衬底上形成并列设置的感光部件和发光部件;
在所述感光部件上表面和所述发光部件上表面设置增益部件,使所述感光部件和所述发光部件通过所述增益部件连接。
本发明还提供了一种红外成像设备,所述红外成像设备包括如上所述的器件或包括如上所述的制备方法制备的器件。
本发明提供的光转换的器件,通过将感光部件和发光部件采取衬底上并列设置并通过增益部件将感光部件和发光部件连接的方式,器件结构更加紧凑、厚度薄、体积小。本发明光转换的器件更适合打印制备,打印制备层数较少,制备效率更高,且具有明显更高的良率。采用本发明的器件制作得到红外成像设备重量轻,适宜穿戴。本发明提供的光转换器件的制备方法,制备工艺简单,成本低,可实现大面积生产。
附图说明
图1是本发明的实施例提供的光转换的器件的结构示意图;
图2是本发明的实施例提供的对应图1的光转换的器件的感光部件和发光部件的结构示意图;
图3是本发明的实施例提供的光转换的器件的另一种结构示意图;
图4是本发明的实施例提供的对应图3的感光部件和发光部件组成的像素排列示意图;
图5是本发明的实施例提供的对应图3的感光部件和发光部件组成的像素排列示意图;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的