[发明专利]一种SnSe2晶体化合物及其制备方法和应用在审
| 申请号： | 201710617019.4 | 申请日： | 2017-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN107400917A | 公开（公告）日： | 2017-11-28 |
| 发明（设计）人： | 唐新峰;舒月姣;郑刚;柳伟;鄢永高 | 申请（专利权）人： | 武汉理工大学 |
| 主分类号： | C30B13/00 | 分类号： | C30B13/00;C30B28/08;C30B29/46;H01L35/16 |
| 代理公司： | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司42102 | 代理人： | 唐万荣,李欣荣 |
| 地址： | 430070 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 snse2 晶体 化合物 及其 制备 方法 应用 | ||
【权利要求书】：
1.一种SnSe2晶体化合物的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
1)以Sn颗粒、Se颗粒和SnCl2粉为原料，然后进行加热熔融、随炉冷却得锭体材料；
2)将步骤1)所得锭体材料置于区熔炉中，采用区熔工艺进行定向生长，得所述SnSe2晶体化合物。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述Sn颗粒、Se颗粒和SnCl2粉按照化学式SnSe2-xClx中各元素的化学计量比进行称量，其中x的取值范围为0≤x≤0.06。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述x的取值范围为0.01≤x≤0.02。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤1)中所述熔融工艺为：加热至700-750℃，保温24-36h。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤2)所述区熔工艺为中，锭体材料置于玻璃管中，玻璃管的底部置于加热圈的中部位置，且玻璃管沿加热圈的中心轴线放置，加热圈沿玻璃管的长度方向匀速移动。
6.根据权利要求1所述的制备方法，奇特在于，所述区熔工艺中：区熔温度为973-1073K，加热圈的移动速度为1.2-1.8mm h-1。
7.权利要求1～6任一项所述制备方法制备的SnSe2晶体化合物。
8.权利要求7所述SnSe2晶体化合物在热电材料领域中的应用。
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