[发明专利]一种显示面板及其制作方法、显示装置

权利要求书

1.一种显示面板，包括多个亚像素，其特征在于，所述显示面板还包括衬底基板以及位于所述衬底基板上，且设置于每个所述亚像素内的像素电路，所述像素电路包括TFT；

所述显示面板还包括覆盖所述TFT的像素界定层；所述像素界定层包括多个凹槽以及位于所述凹槽四周的隔离柱；所述凹槽在所述衬底基板上的正投影位于所述亚像素的发光区内；

所述凹槽内间隔设置有多个与所述隔离柱相连接的挡墙；所述多个挡墙和所述隔离柱将所述凹槽分为多个封闭区；所述挡墙与所述像素界定层同层同材料；

其中，所述凹槽内设置有与所述TFT电连接的量子点发光二极管。

2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述凹槽的底部在对应与所述量子点发光二极管电连接的TFT的漏极所在的位置设置有第一过孔，所述量子点发光二极管的第一极通过所述第一过孔与所述TFT的漏极电连接。

3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括覆盖所述TFT的钝化层；所述钝化层共用为所述像素界定层。

4.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括依次覆盖所述TFT的钝化层、光刻胶层；

所述光刻胶层共用为所述像素界定层；所述钝化层上设置有与所述第一过孔相连通的第二过孔。

5.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括覆盖所述TFT的钝化层，以及位于所述钝化层背离所述TFT一侧的像素电极；

所述像素电极通过设置于所述钝化层上的第三过孔与所述TFT的漏极相连接；

所述凹槽底部露出所述像素电极；所述像素电极共用为所述量子点发光二极管的第一极。

6.根据权利要求1-5任一项所述的显示面板，其特征在于，任意两个所述挡墙的延伸方向相同，且相邻两个所述挡墙之间的距离相等。

7.根据权利要求1-5任一项所述的显示面板，其特征在于，多个所述挡墙包括横纵交叉的第一子挡墙和第二子挡墙；

所述第一子挡墙和所述第二子挡墙交叉界定多个呈矩阵形式排列的封闭区；每相邻两个封闭区的面积相等。

8.根据权利要求2或5所述的显示面板，其特征在于，所述量子点发光二极管还包括：依次位于所述第一极背离所述TFT一侧的空穴传输层、量子点发光层、电子传输层以及第二极；

所述第一极由透明导电材料构成，所述第二极由金属材料构成；

或者所述第一极由金属材料构成，所述第二极由透明导电材料构成。

9.根据权利要求8所述的显示面板，其特征在于，构成所述量子点发光层的材料至少包括CdSe、CdS、CdTe、ZnSe、ZnTe、ZnS、HgTe、InAs、InP和GaAs中的任意一种。

10.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，构成所述TFT有源层的材料包括氧化物半导体材料，或者低温多晶硅。

11.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-10任一项所述的显示面板。

12.一种显示面板的制作方法，其特征在于，包括在衬底基板上，通过构图工艺形成位于亚像素内的像素电路；所述像素电路包括TFT；

所述方法还包括：

形成覆盖所述TFT的像素界定层；所述像素界定层包括凹槽，以及位于所述凹槽四周的隔离柱；所述凹槽在所述衬底基板上的正投影位于所述亚像素的发光区内；

在所述凹槽内形成多个间隔设置的挡墙，且所述多个挡墙与所述隔离柱相连，以将所述凹槽分为多个封闭区；所述挡墙与所述像素界定层同层同材料；

在所述凹槽内，形成量子点发光二极管，所述量子点发光二极管与所述TFT电连接。