[发明专利]一种超低漏电水平的低压TVS器件及其制造方法

权利要求书

1.一种超低漏电水平的低压TVS器件，包括N+吸杂区（1）和N+击穿区（2），其特征在于：所述N+吸杂区（1）旁设有N+击穿区（2），两个区域间的间隙设为5~50um，两个区域的上表面设有SiO2钝化层（3）将两个区域进行隔离，最终在上表面蒸发钛镍银金属（4），将击穿区互联；N+吸杂区（1）和N+击穿区（2）采用垂直交叉式结构或圆形环状式结构。

2.根据权利要求1所述的一种超低漏电水平的低压TVS器件，其特征在于：所述N+吸杂区（1）的结深为15~25um，宽度范围为20~50um，N+击穿区（2）的结深为8~15um。

3.一种超低漏电水平的低压TVS器件的制造方法，包括以下步骤：

1）取硅单晶片，要求：ρ=0.001-0.01 Ω·㎝，硅单晶片厚度t=（200～300）±5 um；

2）硅单晶片用抛光机进行抛光或化学腐蚀：采用HF、HNO2、HAC溶液对硅片进行酸腐蚀，而后采用CMP方式对硅片表面抛光，完成后的硅片厚度t=（170～270）±5 um；

3)氧化：在温度1140±20℃下氧化4.0±1h，生长出一层厚度为1.0-1.5um氧化层（3）；

4)双面光刻N+吸杂区（1）：纵向结构带有短路孔，利用双面光刻机，对准上、下两块光刻版，将硅片置于两块光刻版的中间，同时曝光；上、下两块光刻版的图形是相同的；

5)采用POCL3气相掺杂法对N+吸杂区（1）磷予扩，予沉积T=1050~1170℃，t=2.2±1.0h，R□=0.5~1.2Ω/□；

6)采用POCL3气相掺杂法对N+吸杂区（1）磷再扩，再分布T=1200~1250℃，t=15±5h，Xj=15~25um；

7)光刻形成N+击穿区；

8) N+击穿区（2）磷予扩：

予沉积T=850~950℃，t=1.0±0.5h, R□=15~35Ω/□；

9)N+击穿区（2）磷再扩：

再分布T=1100~1200℃，t=4.0±2.0h, Xj=8~15um；

10)光刻引线孔：用刻引线孔版进行光刻，将N+击穿区域刻出，用于金属互联；

11)双面蒸发钛镍银金属4：要求金属总厚度为3~4um；

12)反刻钛镍银金属（4）：用反刻版进行光刻，并腐蚀掉非有效区域的钛镍银金属（4）；

13)合金：合金条件为温度360~520℃，时间0.4±0.1h，形成芯片；

14)芯片测试：用冠魁的自动测试台进行测试；测试V_BR、I_R参数，并对V_BR进行分档；

15)锯片：保留硅片1/2~1/3厚度，裂片将芯片分开；

16)将制造完毕的芯片包装。