[发明专利]半导体功率器件及其制备方法

权利要求书

1.一种半导体功率器件，其特征在于，包括：

衬底；

阱区，所述阱区位于所述衬底中，且靠近所述衬底的上表面设置；

源区，所述源区位于所述阱区中，且靠近所述衬底的上表面设置；

栅极氧化层，所述栅极氧化层位于所述衬底的上表面，且覆盖所述阱区和所述源区上表面的一部分；

栅极，所述栅极位于所述栅极氧化层的上表面；

栅极保护层，所述栅极保护层位于所述栅极的上表面；

接触电极，所述接触电极位于所述栅极保护层的上表面，且贯穿所述栅极保护层、所述栅极和所述栅极氧化层，并与所述源区和所述阱区电连接；

侧墙，所述侧墙位于所述源区、所述栅极氧化层、所述栅极、所述栅极保护层和所述接触电极之间；

其中，所述侧墙包括：

第一侧墙，所述第一侧墙位于所述栅极氧化层上表面，且覆盖所述栅极和所述栅极保护层靠近所述接触电极的侧壁；

第二侧墙，所述第二侧墙位于所述源区上表面，且覆盖所述栅极氧化层和所述第一侧墙靠近所述接触电极的侧壁，并与源区和接触电极电连接；

其中，所述第一侧墙由绝缘材料形成，所述第二侧墙由导电材料形成；

所述第二侧墙与所述栅极保护层的刻蚀选择比不低于8：1；形成所述第一侧墙的材料包括氮化硅，形成所述第二侧墙的材料包括多晶硅，所述接触电极位于所述第二侧墙和衬底之间部分的深宽比为(9：125)～(156：105)。

2.根据权利要求1所述的半导体功率器件，其特征在于，所述第一侧墙的厚度为0.1～0.3微米，所述第二侧墙的厚度为0.4～0.6微米。

3.根据权利要求1所述的半导体功率器件，其特征在于，进一步包括重掺杂区，所述重掺杂区位于所述阱区内、靠近所述衬底的上表面设置且延伸至所述源区的下方。

4.根据权利要求1所述的半导体功率器件，其特征在于，所述栅极保护层的厚度为0.4～2.0微米。

5.一种制备半导体功率器件的方法，其特征在于，包括：

在衬底上表面依次形成栅极氧化层、栅极和栅极保护层；

对所述栅极和栅极保护层进行刻蚀，形成自对准孔；

通过所述自对准孔对所述衬底依次进行离子注入和高温退火，形成位于衬底内的阱区；

在所述自对准孔的周壁上形成第一侧墙，并对未被第一侧墙覆盖的所述栅极氧化层进行刻蚀；

在所述第一侧墙和所述栅极氧化层的周壁上形成第二侧墙；

形成源区，所述源区位于所述阱区中，且靠近所述衬底的上表面设置，并与所述第二侧墙电连接；

形成接触电极，所述接触电极位于所述栅极保护层的上表面，且贯穿所述栅极保护层、所述栅极和所述栅极氧化层，并与所述源区和所述阱区电连接；

其中，所述第一侧墙由绝缘材料形成，所述第二侧墙由导电材料形成。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述第二侧墙与所述保护层的刻蚀选择比不低于8：1。

7.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述栅极氧化层是通过热生长法形成的；

所述栅极、栅极保护层、所述第一侧墙和所述第二侧墙是通过化学气相沉积方法形成的；

所述源区是通过高温扩散方法形成的；

所述接触电极是通过溅射方法形成的。

8.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，进一步包括形成重掺杂区的步骤，所述重掺杂区位于所述阱区内，靠近所述衬底的上表面设置且延伸至所述源区的下方。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述重掺杂区是通过以下步骤进行的：

通过所述自对准孔对所述阱区进行离子注入。