[发明专利]一种实现ASML不同型号光刻机套刻匹配的方法

权利要求书

1.一种实现ASML步进式光刻机和ASML扫描式光刻机套刻匹配的方法，其特征是该方法包括如下步骤：

（1）使用一块ASML标准掩膜版，该掩膜版包含用于圆片对准的标记图形；

（2）使用另一块ASML标准掩膜版，该掩膜版包含用于步进式光刻机和扫描式光刻机套刻匹配的图形；

（3）使用专用4英寸GaAs圆片，校准ASML扫描式光刻机的焦平面各项参数；

（4）选用4英寸GaAs圆片，表面涂盖光刻胶；

（5）ASML扫描式光刻机利用步骤（1）及步骤（2）中的掩膜版在步骤（4）所述的GaAs圆片上分别曝光对准标记图形和第一层套刻匹配图形；

（6）曝光后GaAs圆片显影，显影后干法刻蚀；去除光刻胶后,重新涂盖与步骤（4）相同的光刻胶；

（7）ASML步进式光刻机利用步骤（2）中的掩膜版在GaAs圆片上曝光第二层套刻匹配图形，显影后测试两层的套刻精度误差，软件自动补偿ASML步进式光刻机的相关参数，实现两台设备的套刻匹配。

2.根据权利要求1所述的一种实现ASML步进式光刻机和ASML扫描式光刻机套刻匹配的方法，其特征是所述的步骤（3）中ASML扫描式光刻机焦平面参数的调整采用的是ASML光刻机设备调试的流程。

3.根据权利要求1所述的一种实现ASML步进式光刻机和ASML扫描式光刻机套刻匹配的方法，其特征是该套刻匹配是在4英寸的GaAs圆片上实现的。

4.根据权利要求1所述的一种实现ASML步进式光刻机和ASML扫描式光刻机套刻匹配的方法，其特征是所述的步骤（4）中所选用的GaAs圆片表面平整度好max-min=1um，且在涂盖光刻胶前做等离子打胶清洗，所涂盖光刻胶厚度是650nm。

5.根据权利要求1所述的一种实现ASML步进式光刻机和ASML扫描式光刻机套刻匹配的方法，其特征是所述的步骤（5）中对准标记曝光在4英寸GaAs圆片上的位置是依据ASML光刻机的标准，即位于圆片的（±45mm，0）处。

6.根据权利要求1所述的一种实现ASML步进式光刻机和ASML扫描式光刻机套刻匹配的方法，其特征是所述的步骤（5）中第一层套刻匹配图形是7个大场分布，每个大场内是21×21套刻匹配图形阵列。

7.根据权利要求1所述的一种实现ASML步进式光刻机和ASML扫描式光刻机套刻匹配的方法，其特征是所述的步骤（6）中GaAs圆片显影后的干法刻蚀深度控制在120±20 nm。

8.根据权利要求1所述的一种实现ASML步进式光刻机和ASML扫描式光刻机套刻匹配的方法，其特征是所述的步骤（7）中第二层匹配套刻图形的曝光是ASML步进式光刻机利用ASML扫描式光刻机曝光留下的对准标记套准。

9.根据权利要求1所述的一种实现ASML步进式光刻机和ASML扫描式光刻机套刻匹配的方法，其特征是所述的步骤（7）中第二层套刻匹配图形坐标设置，相比于第一层套刻匹配图形，X方向沿正向偏移500um。