[发明专利]R-T-B系烧结磁体的制造方法

说明书

提供H_cJ的温度系数被改善、高温时H_cJ的降低少且能够得到高H_cJ的R‑T‑B系烧结磁体的制造方法。包括：准备含有R29.5～35.0质量％、B0.80～0.90质量％、Ga0.1～0.8质量％、M0～2质量％、剩余部分T和不可避免的杂质的R‑T‑B系烧结磁体原材料的工序；实施第一RH扩散处理的工序；实施以750℃以上且低于1000℃且比第一RH扩散处理的温度低的温度加热的第二RH扩散处理的工序；实施以730℃以上850℃以下且比第二RH扩散处理的温度低的温度加热后，以5℃/分钟以上的冷却速度冷却到300℃的高温热处理的工序；和实施以440℃以上550℃以下的温度加热的低温热处理的工序。

技术领域

本发明涉及R-T-B系烧结磁体的制造方法。

背景技术

R-T-B系烧结磁体(R为稀土元素中的至少一种，必须含有Nd和Pr的至少一者，T为过渡金属元素中的至少一种，必须含有Fe)由包含具有R₂T₁₄B型晶体结构的化合物的主相和位于该主相的晶界部分的晶界相构成，已知是永磁体中性能最高的磁体。

因此，被用于硬盘驱动器的音圈电机(VCM)、电动汽车(EV、HV、PHV)用电机、产业机器用电机等各种电机、家电制品等多种多样的用途。

但是，R-T-B系烧结磁体一旦达到高温，则矫顽力H_cJ(以下，有时简称为“H_cJ”)降低，存在发生不可逆热退磁的问题。因此，在如电动汽车用电机那样，在工作中达到100℃～160℃那样的高温的用途中使用R-T-B系烧结磁体的情况下，在工作中H_cJ降低，有可能得不到电机的稳定工作。因此，要求高温下的H_cJ的降低少，即，R-T-B系烧结磁体的H_cJ的温度系数的改善(减小H_cJ的温度系数的绝对值)。

专利文献1中记载了通过将R1(不包括Y、Ce的稀土元素的至少一种)-T-B系结晶层与(Y、Ce)-T-B系结晶层叠层，来改善H_cJ的温度系数。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2014-216462

发明内容

发明所要解决的课题

但是，在专利文献1所记载的方法中，由于必须通过溅射等将R1-T-B系结晶层与(Y、Ce)-T-B系结晶层叠层，所以不仅耗费成本，而且批量生产困难。另外，由于含有(Y、Ce)-T-B系结晶层，所以无法避免各向异性磁场的降低，无法得到高的H_cJ。

本发明的实施方式提供H_cJ的温度系数被改善、高温时H_cJ的降低少、且能够得到高的H_cJ的R-T-B系烧结磁体的制造方法。

用于解决课题的方法