[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，该半导体装置包括：

栅极层叠结构，所述栅极层叠结构围绕沟道层；

公共源极线，所述公共源极线填充彼此相邻的所述栅极层叠结构之间的分离区域，并且具有包括多个第一凹部的上表面，其中，所述多个第一凹部沿与所述沟道层的长度方向相交的第一方向布置；以及

支撑绝缘层，所述支撑绝缘层填充所述第一凹部，并且具有面向所述沟道层的一部分的侧壁，

其中，所述分离区域和所述公共源极线沿着所述第一方向延伸。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一凹部在所述第一方向上彼此间隔开。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述分离区域包括在所述第一方向上彼此交替布置并且彼此联接的第一狭缝和第二狭缝。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，所述公共源极线包括：

第一部分，所述第一部分被布置在所述第一狭缝中的所述支撑绝缘层下方；以及

第二部分，所述第二部分被布置在所述第二狭缝中，并且沿着垂直于所述第一方向的第三方向延伸以长于所述第一部分。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述公共源极线包括底表面，所述底表面包括与所述第一凹部在基板上投影交叠的第二凹部。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，该半导体装置还包括：

源极层，所述源极层被布置在所述栅极层叠结构下方以接触所述沟道层。

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，所述公共源极线包括：

第一部分，所述第一部分被布置在所述源极层与所述支撑绝缘层之间，并且与所述源极层间隔开；以及

第二部分，所述第二部分接触所述源极层并且延伸以面向所述支撑绝缘层的所述侧壁。

8.根据权利要求7所述的半导体装置，该半导体装置还包括：

至少一层绝缘层，所述至少一层绝缘层被布置在所述第一部分与所述源极层之间。

9.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，每个所述沟道层都延伸到所述源极层中，所述源极层包括接触所述沟道层的侧壁的接触源极层以及布置在所述接触源极层下方的基部源极层，并且

所述半导体装置还包括绝缘插塞，所述绝缘插塞穿过所述接触源极层，并且与所述第一凹部在基板上投影交叠。

10.一种半导体装置，该半导体装置包括：

栅极层叠结构；

沟道层，所述沟道层穿过每个所述栅极层叠结构；以及

公共源极线，所述公共源极线具有面向所述栅极层叠结构的凹凸不平的侧壁，并且被布置在所述栅极层叠结构之间，

其中，每个所述凹凸不平的侧壁由在与所述沟道层的长度方向相交的第一方向上彼此交替的凹陷和突起限定。

11.根据权利要求10所述的半导体装置，其中，所述公共源极线包括：

上表面，所述上表面包括在所述第一方向上彼此间隔开的第一凹部；以及

底表面，所述底表面包括在所述第一方向上彼此间隔开并且与所述第一凹部在基板上投影交叠的第二凹部。

12.根据权利要求10所述的半导体装置，该半导体装置还包括：

第一狭缝，所述第一狭缝沿着所述第一方向被布置在所述栅极层叠结构之间，并且所述第一狭缝具有填充有所述公共源极线的下部；以及

支撑绝缘层，所述支撑绝缘层被设置在所述公共源极线上以填充所述第一狭缝的上部。

13.根据权利要求12所述的半导体装置，该半导体装置还包括：

第二狭缝，所述第二狭缝在所述第一方向上与所述第一狭缝相邻，位于所述栅极层叠结构之间，并且填充有所述公共源极线。