[发明专利]一种微型磁通门传感器制备方法

权利要求书

1.一种微型磁通门传感器制备方法，其特征在于：选取两个高阻硅片(1)，分别在两个高阻硅片(1)上进行刻蚀，以使得两个高阻硅片(1)键合后能够形成用于放置磁芯(2)的磁芯腔(100)、多个围绕在磁芯腔(100)外周的螺线管腔(200)以及与螺线管腔(200)相连通的电极窗口(300)；

两个高阻硅片(1)键合前，在磁芯腔(100)对应在两个高阻硅片(1)上的位置沉积绝缘层；

在螺线管腔(200)的内表面上沉积绝缘层，并在螺线管腔(200)内填充线圈材料，从而在螺线管腔(200)内形成螺线管线圈(3)；

自磁芯腔(100)中部的位置切割键合后的两个高阻硅片(1)，使得磁芯腔(100)一侧开口，自开口处将带材磁芯(2)插入磁芯腔(100)内，使用填充材料密封固定开口，从而完成微型磁通门传感器的制备。

2.根据权利要求1所述的微型磁通门传感器制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

步骤一、选择高阻硅片(1)，并对高阻硅片(1)进行处理；

所述高阻硅片(1)的处理过程为；

步骤1.1、在高阻硅片(1)的第一表面刻蚀磁芯槽(11)，并在磁芯槽(11)的内表面沉积绝缘层；

步骤1.2、在高阻硅片(1)的第二表面上刻蚀多条横跨所述磁芯槽(11)的线圈槽(12)；

步骤1.3、沿高阻硅片(1)的厚度方向，自每个线圈槽(12)两端分别蚀刻与各线圈槽(12)相连通的通孔(13)；

步骤1.4、在高阻硅片(1)的第二表面上刻蚀与线圈槽(12)或通孔(13)相连通的电极窗口(300)；

步骤1.5、分别在线圈槽(12)的内表面以及通孔(13)的内壁面上沉积绝缘层；

步骤二、将两个经过处理的高阻硅片(1)的第一表面相对设置并进行键合，使得两个高阻硅片(1)键合后，两个高阻硅片(1)上的磁芯槽(11)对合形成所述磁芯腔(100)，两个高阻硅片(1)上的各线圈槽(12)和通孔(13)连通形成多个围绕在磁芯腔(100)外周的螺线管腔(200)；

步骤三、在螺线管腔(200)内填充线圈材料以形成螺线管线圈(3)；

步骤四、自磁芯腔(100)中部的位置切割键合后的两个高阻硅片(1)，使得磁芯腔(100)一侧开口；

步骤五、自开口处将带材磁芯(2)插入磁芯腔(100)内，使用填充材料密封固定开口；

步骤六、完成微型磁通门传感器的制备。

3.根据权利要求2所述的微型磁通门传感器制备方法，其特征在于：在步骤1.1和步骤1.2之间，对高阻硅片(1)的第二表面进行减薄处理。

4.根据权利要求2所述的微型磁通门传感器制备方法，其特征在于：在步骤1.1前对高阻硅片(1)表面进行氧化处理。

5.根据权利要求4所述的微型磁通门传感器制备方法，其特征在于：通过热氧化或者PECVD的方法对高阻硅片(1)进行氧化处理。

6.根据权利要求2所述的微型磁通门传感器制备方法，其特征在于：通过热氧化或者PECVD的方法在线圈槽(12)的内表面以及通孔(13)的内壁面上沉积形成绝缘层。

7.根据权利要求2所述的微型磁通门传感器制备方法，其特征在于：通过聚合膜键合两个高阻硅片(1)。

8.根据权利要求7所述的微型磁通门传感器制备方法，其特征在于：所述聚合膜采用BCB或者PI材料。

9.根据权利要求1至7任一权利要求所述的微型磁通门传感器制备方法，其特征在于：使用KOH或者TMAH材料进行刻蚀处理，或者使用DRIE的方法进行刻蚀处理。

10.根据权利要求1至7任一权利要求所述的微型磁通门传感器制备方法，其特征在于：自开口处将磁芯(2)插入内，密封固定所述磁芯腔(100)的开口的填充材料为环氧树脂。