[发明专利]处理腔室和控制朝向基板支撑组件引导的气体的量的方法

说明书

本公开涉及了一种处理腔室和控制朝向基板支撑组件引导的气体的量的方法。喷淋头组件包括：面板，所述面板被配置成将工艺气体输送到限定在所述喷淋头组件与所述基板支撑件之间的处理区域；以及底板，所述底板被定位在所述面板上方，在所述盖与所述底板之间限定第一气室，所述底板具有多个区域，其中每个区域具有多个开口，所述多个开口被配置成使一定量的惰性气体从所述第一气室流入所述面板与所述底板之间限定的第二气室，两个气室利用每个区中的所述多个开口流体连通，使得所述惰性气体在离开所述喷淋头组件之前与所述工艺气体混合。

本申请是申请日为2016年9月30日、申请号为“201610875496.6”、发明名称为“具有多个流体输送区的喷淋头组件”的发明专利申请的分案申请。

技术领域

本公开的实施方式大体涉及一种用于半导体处理装置的喷淋头组件，并且更具体地涉及一种具有用于独立控制从喷淋头组件穿过的流体的多个区域的喷淋头组件。

背景技术

可靠产生亚半微米和更小的特征是下一代超大规模集成(VLSI)和特大规模集成(ULSI)的半导体器件的关键技术挑战之一。然而，随着电路技术的极限推进，收缩尺寸的VLSI和ULSI技术对处理能力有另外需求。在基板上可靠形成栅极结构对VLSI和ULSI成功并且对于继续努力增加电路密度来说是有用的。

随着下一代器件的电路密度增加，互连件(诸如通孔、沟槽、触点、栅极结构和其他特征，以及在它们之间的电介质材料)的宽度减至45nm和32nm尺寸以及更小。为了能够制造下一代器件和结构，通常在半导体芯片中使用三维(3D)特征堆叠。具体来说，鳍式场效应晶体管(FinFET)通常用于在半导体芯片中形成三维(3D)结构。通过以三维而非常规二维的方式布置晶体管，多个晶体管可在集成电路(IC)中非常靠近彼此放置。随着电路密度和堆叠的增加，用以选择性地将后续材料沉积在先前沉积材料上的能力变得重要。控制通过喷淋头组件来输送到基板的流体的能力在辅助来成功制造下一代器件方面变为越来越为有用。

因此，需要一种改进的喷淋头组件。

发明内容

在一个实施方式中，在本文中公开一种喷淋头组件。所述喷淋头组件包括面板和底板。面板具有第一侧和第二侧。面板具有多个孔隙，所述多个孔隙被配置成将工艺气体从所述第一侧输送到所述第二侧。底板被定位在面板的第一侧的相邻位置。底板具有多个区域，其中每个区域具有多个孔隙，所述多个孔隙被配置成使惰性气体穿过所述底板来流入限定在所述面板与所述底板之间的气室。惰性气体会与工艺气体在气室中混合。

在另一实施方式中，在本文中公开一种喷淋头组件。所述喷淋头组件包括面板和底板。喷淋头包括第一侧和第二侧。面板具有多个孔隙，所述多个孔隙被配置成将工艺气体从所述第一侧输送到所述第二侧。底板被定位在面板的第一侧的相邻位置，从而在所述面板与所述底板之间限定气室，其中所述底板具有多个区域。每个区域包括导通率控制器组件，所述导通率控制器组件从底板延伸到气室之中。所述导通率控制器组件被配置成控制气室内的工艺气体的导通率。

在另一实施方式中，在本文中公开一种喷淋头组件。所述喷淋头组件包括面板和底板。喷淋头包括第一侧和第二侧。面板具有多个孔隙，所述多个孔隙被配置成将工艺气体从所述第一侧输送到所述第二侧。底板被定位在面板的第一侧的相邻位置，从而在所述面板与所述底板之间限定气室，其中多个气体线路被形成为穿过所述底板开口至所述气室中。多个气体线路在底板中形成多个区域，其中每个区域被配置成将不同量的工艺气体提供到气室。

附图说明

因此，为了能够详细理解本公开的上述特征结构所用方式，上文所简要概述的本公开的更具体的描述可以参考各个实施方式获得，一些实施方式例示出在附图中。然而，应当注意，附图仅仅示出本公开的典型实施方式，并且因此不应视为限制本公开的范围，因为本公开可允许其他等效实施方式。

图1示出根据一个实施方式的具有喷淋头组件之处理腔室。