[发明专利]一种P型面低反射率晶硅电池的制备方法在审
| 申请号： | 201710624403.7 | 申请日： | 2017-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN107293604A | 公开（公告）日： | 2017-10-24 |
| 发明（设计）人： | 王钊;包健;金浩;张昕宇;杨洁 | 申请（专利权）人： | 浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L31/068;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 314416 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 型面低 反射率 电池 制备 方法 | ||
1.一种P型面低反射率晶硅电池的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：
提供一N型衬底；
在所述N型衬底的第一表面形成P型层；
在所述P型层背离所述N型衬底的一侧生长SiO钝化层；
在所述SiO钝化层背离所述P型层的一侧生长第一预设厚度的Al2O3层；
在所述Al2O3层背离所述SiO钝化层的一侧生长第二预设厚度的SiN层；
在所述N型衬底的第二表面形成N型层；
在所述N型层背离所述N型衬底的一侧生长第三预设厚度的SiN层；
其中，所述第一表面与所述第二表面相对设置。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一预设厚度的Al2O3层为6nm厚度的Al2O3层。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第二预设厚度的SiN层为60nm-100nm厚度之间的SiN层。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第二预设厚度的SiN层为69.9nm厚度的SiN层。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第三预设厚度的SiN层为79nm-80nm厚度之间的SiN层。
6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述在所述N型衬底的第一表面形成P型层包括：
在所述N型衬底的第一表面进行B扩散，进而形成P型层。
7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第二预设厚度的SiN层为含有H薄膜的SiN层。
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
