[发明专利]一种消除大尺寸碳化硅基底硅改性层内应力的方法

权利要求书

1.一种消除大尺寸碳化硅基底硅改性层内应力的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

(1)在SiC基底Si改性层的成膜过程中，利用磁控溅射镀膜技术，设置镀膜工艺参数：Ar气体流量40～60sccm、真空室压强1.8×10^-2Pa～2.0×10^-2Pa、溅射速率射频电压1100～1300V、射频电流800～1200mA，在环状磁场控制下荷能离子轰击靶材，在SiC基底上沉积0.8～1.2微米厚度的Si；

(2)停止溅射镀膜，更改镀膜工艺参数：Ar气体流量5～20sccm、真空室压强4.8×10^-2Pa～5.2×10^-2Pa、溅射速率射频电压700～800V、射频电流700～800mA，在SiC基底上继续沉积0.8～1.2微米厚度的Si；

(3)重复步骤(1)和步骤(2)5～9次，最终制备出Si改性层。

2.根据权利要求1所述的消除大尺寸碳化硅基底硅改性层内应力的方法，其特征在于，步骤(1)所述镀膜工艺参数为：Ar气体流量50sccm，真空室压强1.9×10^-2Pa，溅射速率射频电压1200V，射频电流1000mA。

3.根据权利要求2所述的消除大尺寸碳化硅基底硅改性层内应力的方法，其特征在于，步骤(1)所述Si沉积厚度为1.0微米。

4.根据权利要求1任一项所述的消除大尺寸碳化硅基底硅改性层内应力的方法，其特征在于，步骤(2)所述镀膜工艺参数为：Ar气体流量10sccm，真空室压强5.0×10^-2Pa，溅射速率射频电压750V，射频电流750mA。

5.根据权利要求4所述的消除大尺寸碳化硅基底硅改性层内应力的方法，其特征在于，步骤(2)所述Si沉积厚度为1.0微米。

6.根据权利要求1所述的消除大尺寸碳化硅基底硅改性层内应力的方法，其特征在于，步骤(3)所述重复次数为7次。