[发明专利]一种用于QFN封装芯片切割的砂轮及其制备方法

权利要求书

1.一种用于QFN封装芯片切割的砂轮，其特征在于，包括芯层以及设置在芯层两侧表面上的表层；所述芯层包括金属结合剂和芯层金刚石，所述金属结合剂包括如下重量份数的组分：30~40份铜铈合金、15~20份铜镧合金、5~16份锡粉、2~4重量份的氢化钛、3~5重量份的氯化钾；所述表层包括表层金刚石及如下重量份数的组分：55~65份的酚醛树脂或环氧树脂、10~15份碳化钨、3~6份立方氮化硼。

2.如权利要求1所述的用于QFN封装芯片切割的砂轮，其特征在于，所述表层中表层金刚石的质量分数为50%~60%。

3.如权利要求1所述的用于QFN封装芯片切割的砂轮，其特征在于，所述表层金刚石的粒度为200~230目、230~270目、270~325目或325~400目。

4.如权利要求1所述的用于QFN封装芯片切割的砂轮，其特征在于，表层中的碳化钨的粒度为38~45μm。

5.如权利要求1所述的用于QFN封装芯片切割的砂轮，其特征在于，立方氮化硼微粉的粒度为10~20μm。

6.如权利要求1所述的用于QFN封装芯片切割的砂轮，其特征在于，所述芯层中芯层金刚石的质量百分比为5-10%。

7.如权利要求1所述的用于QFN封装芯片切割的砂轮，其特征在于，所述芯层金刚石的粒径与表层金刚石的粒径相等。

8.如权利要求1-7任意一项所述的用于QFN封装芯片切割的砂轮，其特征在于，所述芯层两侧的两个表层的厚度相同、质量相同。

9.一种如权利要求1所述的用于QFN封装芯片切割的砂轮的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

1）将表层金刚石及各组分的粉料混合均匀，加入模具中并形成粉料层，在粉料层表面放置芯层，热压成型得砂轮毛坯；

2）将步骤1）得到的砂轮毛坯进行固化处理：在110-130℃保温10-30min，然后在180-200℃保温4-6h，冷却，即得。

10.如权利要求9所述的用于QFN封装芯片切割的砂轮的制备方法，其特征在于，步骤1）中热压温度为170-220℃，热压时间15-25min，热压压力为10-25MPa。