[发明专利]一种具有辅助氧化埋层的半超结MOSFET有效
| 申请号： | 201710625714.5 | 申请日： | 2017-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN107425070B | 公开（公告）日： | 2020-05-01 |
| 发明（设计）人： | 任敏;罗蕾;李佳驹;谢驰;林育赐;李泽宏;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 敖欢;葛启函 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 具有 辅助 氧化 半超结 mosfet | ||
1.一种具有辅助氧化埋层的半超结MOSFET，包括金属化漏电极(1)、第一导电类型半导体掺杂衬底(2)、第一导电类型半导体掺杂底部辅助层(4)、第二导电类型半导体掺杂柱区(5)、第一导电类型半导体掺杂柱区(6)、多晶硅栅电极(10)、栅介质层(11)和金属化源电极(12)；所述第一导电类型半导体掺杂衬底(2)设在金属化漏电极(1)的上端面；所述第一导电类型半导体掺杂底部辅助层(4)设在第一导电类型半导体掺杂衬底(2)的上端面；第二导电类型半导体掺杂柱区(5)和第一导电类型半导体掺杂柱区(6)设在第一导电类型半导体掺杂底部辅助层(4)的上端面；其中第二导电类型半导体掺杂柱区(5)和第一导电类型半导体掺杂柱区(6)交替分布形成超结结构；第二导电类型半导体掺杂柱区(5)上端面设有第二导电类型半导体体区(7)，第二导电类型半导体体区(7)分别与第二导电类型半导体掺杂柱区(5)和第一导电类型半导体掺杂柱区(6)相接触；第二导电类型半导体体区(7)内部分别具有一个第一导电类型半导体掺杂源区(9)和一个第二导电类型半导体掺杂接触区(8)；所述多晶硅栅电极(10)位于第二导电类型半导体体区(7)和第一导电类型半导体掺杂柱区(6)的上端面，多晶硅栅电极(10)与第二导电类型半导体体区(7)和第一导电类型半导体掺杂柱区(6)之间通过栅介质层(11)相绝缘；所述金属化源电极(12)位于器件的最上层，其两端分别与两个第二导电类型半导体体区(7)中的第一导电类型半导体掺杂源区(9)和第二导电类型半导体掺杂接触区(8)相接触，金属化源电极(12)与多晶硅栅电极(10)之间通过栅介质层(11)相绝缘；其特征在于：所述第一导电类型半导体掺杂底部辅助层(4)中设有辅助氧化埋层(3)，所述辅助氧化埋层(3)的下端面与第一导电类型半导体掺杂衬底(2)的上端面连接，所述辅助氧化埋层(3)的上端面高于第一导电类型半导体掺杂底部辅助层(4)的上端面，辅助氧化埋层(3)的上端面位于第一导电类型半导体掺杂柱区(6)中。
2.根据权利要求1所述的一种具有辅助氧化埋层的半超结MOSFET，其特征在于：所述辅助氧化埋层(3)为二氧化硅、或者二氧化硅和氮化硅的复合材料。
3.根据权利要求1所述的一种具有辅助氧化埋层的半超结MOSFET，其特征在于：所述金属化源电极(12)两端向下延伸进第二导电类型半导体体区(7)中，形成沟槽结构；所述第二导电类型半导体掺杂接触区(8)位于金属化源电极(12)为两端的沟槽底部。
4.根据权利要求1或2或3所述的一种具有辅助氧化埋层的半超结MOSFET，其特征在于：第一导电类型为P型，第二导电类型为N型；或者第一导电类型为N型，第二导电类型为P型。
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