[发明专利]外延设备保养方法

权利要求书

1.外延设备保养方法，其特征在于，所述外延设备包括反应腔室，所述反应腔室具有进气口和出气口，所述反应腔室内设有基座，用于放置硅片，所述反应腔室内还安装有吸热装置，所述吸热装置位于基座与出气口之间、且位于反应腔室的上半部；所述外延设备保养方法包括刻蚀步骤，以移除所述反应腔室内沉积的多晶硅层，向所述反应腔室通入刻蚀性气体氯化氢和载气氢气，刻蚀温度为1165℃-1175℃。

2.根据权利要求1所述的外延设备保养方法，其特征在于，刻蚀时间为【8×(T-2)】秒，所述T为在所述反应腔室内的硅片生长的多晶硅层的厚度，单位是微米。

3.根据权利要求1所述的外延设备保养方法，其特征在于，氢气流量为15-25升/分钟。

4.根据权利要求1所述的外延设备保养方法，其特征在于，所述基座是由涂覆有碳化硅涂层的石墨材料制成，其中碳化硅涂层采用细晶粒制备。

5.根据权利要求4所述的外延设备保养方法，其特征在于，所述基座具有碳化硅涂层，所述碳化硅涂层为细晶粒，粒径为10-30微米。

6.根据权利要求1所述的外延设备保养方法，其特征在于，所述外延设备还包括加热装置和热电偶测温装置，所述加热装置用于加热反应腔室；所述热电偶测温装置包括四根热电偶，即中心热电偶、前端热电偶、后端热电偶、侧端热电偶，其中中心热电偶位于基座的正下方。

7.根据权利要求6所述的外延设备保养方法，其特征在于，所述反应腔室内安装吸热装置后，反应腔室的多晶硅沉积减少，由此可减少氯化氢的用量而对硅片的表面质量不产生影响，氯化氢的减少使得基座表面的碳化硅涂层厚度消耗更慢，也使得反应腔室中的四根热电偶的石英套管寿命更长。

8.根据权利要求6所述的外延设备保养方法，其特征在于，所述中心热电偶的石英套管的厚度为1.4-1.6毫米。

9.根据权利要求1所述的外延设备保养方法，其特征在于，所述外延设备的保养周期为累计外延厚度至少60000微米/次。