[发明专利]一种石墨舟饱和双层膜结构及镀膜工艺和石墨舟在审
| 申请号： | 201710628196.2 | 申请日： | 2017-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN107564844A | 公开（公告）日： | 2018-01-09 |
| 发明（设计）人： | 沈磊磊;董敬桃;丁建明;崔钟亨 | 申请（专利权）人： | 韩华新能源（启东）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/673 | 分类号： | H01L21/673;H01L31/18;C23C16/458 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司32103 | 代理人： | 孙仿卫,林传贵 |
| 地址： | 215221 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 石墨 饱和 双层 膜结构 镀膜 工艺 | ||
1.一种石墨舟饱和双层膜结构，其特征在于，包括沉积在所述石墨舟上的耐腐蚀膜和沉积在所述耐腐蚀膜上的钝化膜。
2.根据权利要求1所述的一种石墨舟饱和双层膜结构，其特征在于，所述耐腐蚀膜为SiC膜或Al2O3膜，所述钝化膜为SixNy膜。
3.一种石墨舟饱和双层镀膜工艺，其特征在于，包括步骤：将石墨舟放入沉积设备中进行烘烤之后预处理，所述预处理结束后在所述石墨舟上沉积耐腐蚀膜，之后改变工艺，在所述耐腐蚀膜上沉积钝化膜。
4.根据权利要求3所述的一种石墨舟饱和双层镀膜工艺，其特征在于，所述烘烤操作为：在所述沉积设备内抽真空并预设温度，当达到所述预设温度后，通入N2，烘烤所述石墨舟。
5.根据权利要求3所述的一种石墨舟饱和双层镀膜工艺，其特征在于，所述预处理操作为：通入NH3和N2气体，NH3流量为5slm，N2流量为1slm，压强1600mTorr，功率7000W，处理时间4min。
6.根据权利要求3所述的一种石墨舟饱和双层镀膜工艺，其特征在于，所述耐腐蚀膜为SiC膜，沉积条件为：沉积温度350-500℃，CH4流量为400-600sccm，SiH4流量为600-800sccm，压强为1500-1700mTorr，沉积功率为5000-7000W，沉积时间为90-120min。
7.根据权利要求3所述的一种石墨舟饱和双层镀膜工艺，其特征在于，所述耐腐蚀膜为Al2O3膜，沉积条件为：沉积温度350-500℃，TMA流量为200-400sccm，N2O流量为600-800sccm，压强为1500-1700mTorr，沉积功率为5000-7000W，沉积时间为90-120min。
8.根据权利要求7所述的一种石墨舟饱和双层镀膜工艺，其特征在于，所述耐腐蚀膜为Al2O3膜时，所述步骤还包括退火处理，具体为：将沉积有所述耐腐蚀膜的石墨舟取出放入退火炉管，通入N2，气体流量为15slm，1200℃高温退火20min。
9.根据权利要求3所述的一种石墨舟饱和双层镀膜工艺，其特征在于，所述钝化膜的沉积条件为：沉积温度为350-500℃，NH3流量为4-7slm，SiH4流量为400-1000sccm，压强为1400-2200mTorr，沉积功率为5000-9000W，沉积时间8-12min。
10.一种石墨舟，其特征在于，所述石墨舟上沉积有如权利要求1或2所述的双层膜结构。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
