[发明专利]发光装置及其制造方法

权利要求书

1.一种发光装置，其特征在于，具有：

基座；

发光元件，其配置于所述基座；

第一波长转换部件，其覆盖所述发光元件的侧面，含有第一荧光体，该第一荧光体将所述发光元件发出的光转换为发光峰值波长比所述发光元件的发光峰值波长长的光；

第二波长转换部件，其覆盖所述发光元件的上表面及所述基座，含有第二荧光体，该第二荧光体将所述发光元件发出的光转换为发光峰值波长比所述发光元件的发光峰值波长长且比所述第一荧光体的发光峰值波长短的光；

关于所述第二波长转换部件的覆盖所述基座的部分，在所述发光元件的上表面的高度上的所述第二荧光体的浓度即第一浓度小于所述发光元件的下表面的高度上的所述第二荧光体的浓度即第二浓度，所述第二荧光体对所述第一荧光体的发光峰值波长的光进行反射。

2.如权利要求1所述的发光装置，其特征在于，

所述第一浓度为所述第二浓度的二分之一以下。

3.一种发光装置，其特征在于，具有：

基座；

发光元件，其配置于所述基座；

第一波长转换部件，其覆盖所述发光元件的侧面，含有第一荧光体，该第一荧光体将所述发光元件发出的光转换为发光峰值波长比所述发光元件的发光峰值波长长的光；

第二波长转换部件，其覆盖所述发光元件的上表面及所述基座，含有第二荧光体，该第二荧光体将所述发光元件发出的光转换为发光峰值波比所述发光元件的发光峰值波长长且比所述第一荧光体的发光峰值波长短的光；

在将所述第二波长转换部件从上表面向下表面切割的截面上，从所述发光元件高度的二分之一高度至所述发光元件上表面的高度的所述第二荧光体的截面所占面积的比例即第一面积率小于从所述基座上表面至所述发光元件高度的二分之一高度的所述第二荧光体的截面所占面积的比例即第二面积率，

所述第一波长转换部件未覆盖所述发光元件的上表面，

所述第二波长转换部件与所述发光元件的上表面接触。

4.如权利要求3所述的发光装置，其特征在于，

所述第一面积率及所述第二面积率在所述第二波长转换部件的所述截面上，分别由相应的高度范围的整个区域中的所述第二荧光体的截面所占面积的比例来决定。

5.如权利要求3所述的发光装置，其特征在于，

所述第一面积率及所述第二面积率在所述第二波长转换部件的所述截面上，由从所述发光元件的侧方延长了所述发光元件高度大小的长度的长方形的区域中的所述第二荧光体的截面所占面积的比例来决定。

6.如权利要求3至5中任一项所述的发光装置，其特征在于，

所述第一面积率为50％以下。

7.如权利要求3至5中任一项所述的发光装置，其特征在于，

所述第一面积率为所述第二面积率的二分之一以下。

8.如权利要求1至5中任一项所述的发光装置，其特征在于，

所述基座具有在上表面侧开口的凹部，

所述发光元件配置在所述凹部的底面。

9.一种发光装置，其特征在于，具有：

基座；

发光元件，其配置于所述基座；

第一波长转换部件，其覆盖所述发光元件的侧面，含有第一荧光体，该第一荧光体将所述发光元件发出的光转换为发光峰值波长比所述发光元件的发光峰值波长长的光；

第二波长转换部件，其覆盖所述发光元件的上表面及所述基座，含有第二荧光体，该第二荧光体将所述发光元件发出的光转换为发光峰值波长比所述发光元件的发光峰值波长长且比所述第一荧光体的发光峰值波长短的光；

关于所述第二波长转换部件，至少在配置于所述基座的部分上，所述第二荧光体配置为层状，该配置为层状的所述第二荧光体的层的厚度为所述发光元件高度的四分之三以下。