[发明专利]人脸识别芯片的封装结构及封装方法有效
申请号: | 201710631902.9 | 申请日: | 2017-07-28 |
公开(公告)号: | CN107452636B | 公开(公告)日: | 2022-11-29 |
发明(设计)人: | 陈彦亨;林正忠 | 申请(专利权)人: | 盛合晶微半导体(江阴)有限公司 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;H01L21/60;H01L23/49;H01L23/10;H01L23/31;G06K9/62 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 罗泳文 |
地址: | 214437 江苏省无锡市江阴市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 识别 芯片 封装 结构 方法 | ||
1.一种人脸识别芯片的封装结构,其特征在于,所述封装结构包括:
重新布线层,包括第一面以及与所述第一面相对的第二面,所述重新布线层的第一面制作有凸点下金属及金属凸块;
人脸识别芯片,所述人脸识别芯片的侧壁制作有导线以将所述人脸识别芯片的正面电路引出至所述人脸识别芯片的侧壁;所述脸识别芯片通过ACF异相导电胶装设于所述重新布线层的第二面上,实现所述人脸识别芯片侧壁的导线与所述重新布线层的电性连接,其中,所述人脸识别芯片的背面朝向于所述重新布线层;
玻璃盖板,封装于所述人脸识别芯片上,形成封装腔;
封装材料,包围于所述人脸识别芯片以及所述玻璃盖板四周,且所述玻璃盖板露出于所述封装材料。
2.根据权利要求1所述的人脸识别芯片的封装结构,其特征在于:所述重新布线层包括图形化的介质层以及图形化的金属布线层。
3.根据权利要求2所述的人脸识别芯片的封装结构,其特征在于:所述介质层的材料包括环氧树脂、硅胶、PI、PBO、BCB、氧化硅、磷硅玻璃,含氟玻璃中的一种或两种以上组合,所述金属布线层的材料包括铜、铝、镍、金、银、钛中的一种或两种以上组合。
4.根据权利要求1所述的人脸识别芯片的封装结构,其特征在于:所述金属凸块包括铜柱、位于所述铜柱上表面的镍层、以及位于所述镍层上的焊料凸点。
5.根据权利要求4所述的人脸识别芯片的封装结构,其特征在于:所述焊料凸点的材料包括铅、锡及银中的一种或包含上述任意一种焊料金属的合金。
6.根据权利要求1所述的人脸识别芯片的封装结构,其特征在于:所述人脸识别芯片包括基底,形成于所述基底上的人脸识别区域以及形成于所述基底边缘区域的焊盘,所述焊盘与所述人脸识别区域电性连接,所述导线制作于所述人脸识别芯片的侧壁并延伸至所述焊盘以实现电性连接。
7.根据权利要求1所述的人脸识别芯片的封装结构,其特征在于:所述人脸识别芯片的侧壁设置为倾斜侧壁,其中,所述倾斜侧壁与所述人脸识别芯片的正面所呈夹角为100~150°,所述导线将所述人脸识别芯片的正面电路引出至所述人脸识别芯片的侧壁。
8.根据权利要求1所述的人脸识别芯片的封装结构,其特征在于:所述封装材料的顶面与所述玻璃盖板的顶面持平。
9.根据权利要求1所述的人脸识别芯片的封装结构,其特征在于:所述玻璃盖板基于金锡键合层封装于所述人脸识别芯片上,形成封装腔。
10.根据权利要求1所述的人脸识别芯片的封装结构,其特征在于:所述封装材料包括聚酰亚胺、硅胶以及环氧树脂中的一种。
11.一种人脸识别芯片的封装方法,其特征在于,包括:
1)提供一支撑衬底,于所述衬底表面形成分离层;
2)于所述分离层上形成重新布线层,所述重新布线层包括朝向所述分离层的第一面以及与所述第一面相对的第二面;
3)提供一人脸识别芯片,于所述人脸识别芯片的侧壁制作导线以将所述人脸识别芯片的正面电路引出至所述人脸识别芯片的侧壁;
4)通过ACF异相导电胶将所述人脸识别芯片装设于所述重新布线层上,实现所述人脸识别芯片侧壁的导线与所述重新布线层的电性连接,其中,所述人脸识别芯片的背面朝向于所述重新布线层;
5)于所述人脸识别芯片上封装玻璃盖板,形成封装腔;
6)采用封装材料进行封装,所述玻璃盖板露出于所述封装材料;
7)基于所述分离层分离所述支撑衬底与所述重新布线层,露出所述重新布线层的第一面;
8)于所述重新布线层的第一面制作凸点下金属及金属凸块。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造