[发明专利]一种高压ESD器件结构的制备方法、结构及其应用电路

权利要求书

1.一种高压ESD器件结构的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：

S1：提供一p型硅衬底；

S2：于所述p型硅衬底上表面进行n型离子注入，以形成高压n阱区域；

S3：于所述高压n阱区域的一侧上表面进行p型离子注入，以形成p型体区；

S4：于所述高压n阱区域的另一侧上表面进行n型离子注入，以形成n型扩散区域；

S5：于所述p型体区上表面分别进行p型离子注入和n型离子注入，依次形成第一p+区域和第一n+区域，所述第一p+区域和第一n+区域通过导线连接，以形成源极；

S6：于所述n型扩散区域上表面分别进行n型离子注入、p型离子注入、n型离子注入和p型离子注入，依次形成第二n+区域、第二p+区域、第三n+区域和第三p+区域，所述第二n+区域、第二p+区域、第三n+区域和第三p+区域通过导线连接，以形成漏极；其中，所述第二n+区域、第二p+区域、第三n+区域、第三p+区域与高压n阱区域及p型体区组成达林顿管；以及

S7：于所述p型体区和高压n阱区域上表面形成第一栅氧层，同时于所述高压n阱区域及n型扩散区域上表面形成第二栅氧层，并于所述第一栅氧层上表面形成第一多晶硅层，以形成栅极，同时于所述第二栅氧层上表面形成第二多晶硅层，以形成金属场板。

2.根据权利要求1所述的高压ESD器件结构的制备方法，其特征在于，所述S2中注入的n型离子为磷离子，所述磷离子的注入能量为100～500eV，注入剂量为1e¹²～5e¹²/cm²。

3.根据权利要求1所述的高压ESD器件结构的制备方法，其特征在于，所述S3中注入的p型离子为硼离子，所述硼离子的注入能量为10～200eV，注入剂量为8e¹²～1e¹⁴/cm²。

4.根据权利要求1所述的高压ESD器件结构的制备方法，其特征在于，所述S4中注入的n型离子为磷离子，所述磷离子的注入能量为50～500eV，注入剂量为8e¹²～6e¹⁴/cm²。

5.根据权利要求1所述的高压ESD器件结构的制备方法，其特征在于，所述S5中注入的p型离子为氟化硼，所述氟化硼的注入能量为40～350eV，注入剂量1e¹⁴～8e¹⁵/cm²；所述S5中注入的n型离子为砷离子，所述砷离子的注入能量为20～300eV，注入剂量1e¹⁴～8e¹⁵/cm²。

6.根据权利要求1所述的高压ESD器件结构的制备方法，其特征在于，所述S6中注入的n型离子为砷离子，所述砷离子的注入能量为20～300eV，注入剂量1e¹⁴～8e¹⁵/cm²；所述S6中注入的p型离子为氟化硼，所述氟化硼的注入能量为40～350eV，注入剂量1e¹⁴～8e¹⁵/cm²。

7.根据权利要求1所述的高压ESD器件结构的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括在所述p型硅衬底上形成包围所述器件结构的隔离结构。