[发明专利]双面复眼透镜成像晶片及其制备工艺在审
申请号: | 201710632636.1 | 申请日: | 2017-07-28 |
公开(公告)号: | CN107193064A | 公开(公告)日: | 2017-09-22 |
发明(设计)人: | 邓杨;梦君 | 申请(专利权)人: | 邓杨 |
主分类号: | G02B3/00 | 分类号: | G02B3/00 |
代理公司: | 北京世誉鑫诚专利代理事务所(普通合伙)11368 | 代理人: | 仲伯煊 |
地址: | 100124 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 双面 复眼 透镜 成像 晶片 及其 制备 工艺 | ||
1.双面复眼透镜成像晶片,其特征在于,包括透明基底,在所述透明基底的一侧通过微纳光刻的方式设有图形层,在所述图形层的外侧通过注塑的方式设有第一微透镜阵列,在所述透明基底的另一侧通过注塑的方式设有第二微透镜阵列。
2.根据权利要求1所述的双面复眼透镜成像晶片,其特征在于,所述透明基底为玻璃基底、石英基底、PMMA基底、聚碳酸酯基底和环烯烃类共聚物基底中的一种。
3.双面复眼透镜成像晶片的制备工艺,其特征在于,包括以下步骤:
(1)制备微透镜阵列模芯;
(2)预处理
(21)先将透明基底置于丙酮中超声清洗10~20分钟后取出;
(22)再将透明基底置于异丙醇中超声清洗10~20分钟后取出;
(23)再将透明基底置于去离子水中超声清洗10~20分钟后取出;
(24)将透明基底用惰性气体或氮气吹干,然后在80~120℃的烘箱中烘干,备用;
(3)制备图形层
(31)真空镀膜
在步骤(2)得到的透明基底的一侧通过电子束蒸镀设备以磁控溅射的方式镀一遮光材料层;
(32)光刻图形化
在遮光材料层的外侧均匀布设0.4~4um的光刻胶层,并将其在紫外光刻机上进行紫外曝光4~8s,然后在显影液中显影后取出,进入步骤(33);
(33)通过惰性气体或氮气将透明基底吹干;
(34)通过反应离子刻蚀设备在透明基底的光刻胶层上刻蚀出需要的图形层;
(35)通过氧等离子体去掉透明基底中多余的光刻胶层;
(4)将步骤(3)中的透明基底置于做好微透镜阵列模芯的高速注塑机上,在透明基底的两侧加工注塑出第一微透镜阵列和第二微透镜阵列,得到双面复眼透镜成像晶片。
4.根据权利要求3所述的双面复眼透镜成像晶片的制备工艺,其特征在于,步骤(1)中采用精密加工车床做出微透镜阵列模芯,或通过材料激光干涉方式做出模型后复制成Ni基金属模芯,或采用光刻后回流法做出需要的母版再复制成Ni基金属模芯。
5.根据权利要求3所述的双面复眼透镜成像晶片的制备工艺,其特征在于,步骤(31)中遮光材料层为金属钛层或氧化钛层或金属铬层或氧化铬层或金属铝层或氧化铝层或Au层或氧化金层。
6.根据权利要求5所述的双面复眼透镜成像晶片的制备工艺,其特征在于,步骤(31)中所述遮光材料层的厚度为100~1000nm。
7.根据权利要求3所述的双面复眼透镜成像晶片的制备工艺,其特征在于,步骤(4)中,在透明基底的两侧同时加工注塑出第一微透镜阵列和第二微透镜阵列。
8.根据权利要求3所述的双面复眼透镜成像晶片的制备工艺,其特征在于,步骤(4)中,在透明基底的一侧先加工注塑出第一微透镜阵列或第二微透镜阵列,再在透明基底的另一侧加工注塑出第二微透镜阵列或第一微透镜阵列。
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