[发明专利]显示基板、显示装置及显示基板的制作方法

权利要求书

1.一种显示基板，其特征在于，包括衬底基板以及设置于所述衬底基板上的两种薄膜晶体管，分别为宽长比小于设定比值的第一种薄膜晶体管和宽长比大于设定比值的第二种薄膜晶体管，其中，每个薄膜晶体管包括：

第一有源层，包括用于与源极连接的第一连接部和用于与漏极连接的第二连接部；

刻蚀阻挡层，设置于所述第一有源层远离所述衬底基板的一侧且暴露出所述第一连接部和所述第二连接部；

源极和漏极，设置于所述刻蚀阻挡层远离所述衬底基板的一侧且分别与所述第一连接部和所述第二连接部连接；

所述第一种薄膜晶体管还包括：设置于所述第一有源层靠近所述衬底基板一侧的第二有源层，所述第二有源层的载流子浓度大于所述第一有源层的载流子浓度；

所述第二种薄膜晶体管的有源层仅包括载流子浓度较低的所述第一有源层。

2.如权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述设定比值为10±1。

3.如权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述第一种薄膜晶体管为开关薄膜晶体管，所述第二种薄膜晶体管为电流输出薄膜晶体管。

4.如权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述第一有源层和第二有源层的材质包括氧化物半导体。

5.如权利要求4所述的显示基板，其特征在于，所述第一有源层的材质包括铟镓锌氧化物IGZO，且所述第一有源层中铟、镓、锌三种元素的含量相等。

6.如权利要求4所述的显示基板，其特征在于，所述第二有源层的材质包括铟镓锌氧化物IGZO，且所述第二有源层中铟元素的含量与镓元素的含量的比例大于1。

7.如权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述第二有源层的材质包括氧化物导体，所述氧化物导体包括铟锡氧化物ITO或者铟锌氧化物IZO。

8.如权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述第一有源层的载流子浓度为10¹⁵～10¹⁷/cm³，所述第二有源层的载流子浓度为10¹⁷～10²⁰/cm³。

9.如权利要求1～8任一项所述的显示基板，其特征在于，所述每个薄膜晶体管还包括：设置于所述衬底基板的第一栅极，以及设置于所述第一栅极远离所述衬底基板一侧并覆盖所述第一栅极的绝缘层；

所述第一有源层设置在所述绝缘层远离所述衬底基板的一侧并与所述第一栅极位置相对。

10.如权利要求9所述的显示基板，其特征在于，所述第二种薄膜晶体管还包括设置于所述刻蚀阻挡层远离所述衬底基板一侧的第二栅极，所述第二栅极与所述第一有源层位置相对并且位于所述源极和所述漏极之间。

11.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1～10任一项所述的显示基板。

12.一种显示基板的制作方法，其特征在于，包括在衬底基板一侧制作两种薄膜晶体管，分别为宽长比小于设定比值的第一种薄膜晶体管和宽长比大于设定比值的第二种薄膜晶体管，其中，在衬底基板制作每个薄膜晶体管包括以下步骤：

形成第一有源层，所述第一有源层包括用于与源极连接的第一连接部和用于与漏极连接的第二连接部；

在所述第一有源层远离所述衬底基板的一侧，形成暴露出所述第一连接部和所述第二连接部的刻蚀阻挡层；

在所述刻蚀阻挡层远离所述衬底基板的一侧形成分别与所述第一连接部和所述第二连接部连接的源极和漏极；

在所述形成第一有源层的步骤之前，所述制作方法还包括：仅在所述第一种薄膜晶体管的第一有源层靠近所述衬底基板的一侧形成第二有源层，所述第二有源层的载流子浓度大于所述第一有源层的载流子浓度。